半导体元件制造技术

本发明专利技术公开一种半导体元件，其包括基底、半导体结构及导电反射结构。基底具有一第一侧以及相对于第一侧的一第二侧。半导体结构位于基底的第一侧。导电反射结构位于基底的第二侧。导电反射结构包括一金属氧化结构以及一金属结构。金属氧化结构位于金属结构与基底之间。金属氧化结构直接接触第二侧的表面。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件
本专利技术涉及半导体元件，特别是涉及半导体元件，如发光二极管。
技术介绍
半导体元件的用途十分广泛，相关材料的开发研究也持续进行。举例来说，包含三族及五族元素的III-V族半导体材料可应用于各种光电半导体元件如发光二极管(Lightemittingdiode，LED)、激光二极管(Laserdiode，LD)、太阳能电池(Solarcell)等，能用于照明、医疗、显示、通讯、感测、电源系统等领域。其中，作为半导体元件之一的发光二极管具有耗电量低以及寿命长等优点，因此大量被应用于各种领域。随着科技的发展，现今对于半导体元件仍存在许多技术研发的需求。
技术实现思路
本
技术实现思路
提供一种半导体元件，其包括基底、半导体结构及导电反射结构。基底具有一第一侧以及相对于第一侧的一第二侧。半导体结构位于基底的第一侧。导电反射结构位于基底的第二侧。导电反射结构包括一金属氧化结构以及一金属结构。金属氧化结构位于金属结构与基底之间。金属氧化结构直接接触第二侧的表面。附图说明图1A为本专利技术一实施例的半导体元本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体元件，其特征在于，该半导体元件包括：/n基底，具有第一侧以及相对于该第一侧的第二侧；/n半导体结构，位于该基底的该第一侧；以及/n导电反射结构，位于该基底的该第二侧，且包括金属氧化结构以及金属结构；其中该金属氧化结构位于该金属结构与该基底之间，且该金属氧化结构直接接触该第二侧的表面。/n

【技术特征摘要】
20190516 US 62/848,7881.一种半导体元件，其特征在于，该半导体元件包括：
基底，具有第一侧以及相对于该第一侧的第二侧；
半导体结构，位于该基底的该第一侧；以及
导电反射结构，位于该基底的该第二侧，且包括金属氧化结构以及金属结构；其中该金属氧化结构位于该金属结构与该基底之间，且该金属氧化结构直接接触该第二侧的表面。


2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该金属氧化结构包括第一金属氧化层以及第二金属氧化层。


3.如权利要求2所述的半导体元件，其中该第一金属氧化层包括第一导电材料，该第二金属氧化层包括第二导电材料。


4.如权利要求3所述的半导体元件...

【专利技术属性】
技术研发人员：张耀儒，廖文禄，张永富，张翔，陈孟扬，胖韵馨，萧翊，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71