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本公开提供了一种发光二极管芯片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、N型电极和P型电极，所述P型半导体层、有源层和所述N型半导体层依次层叠在所述衬底上，所述N型电极与所述N型半导体...
该专利属于华灿光电(浙江)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电(浙江)有限公司授权不得商用。

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