阵列基板及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种阵列基板及其制备方法，该阵列基板包括同层设置的第一电极和第二电极、位于第一电极和第二电极的上方的第一介质层、位于第一介质层的上方的第一金属层、位于第一金属层上方的第二介质层以及位于第二介质层上方的第二金属层，其中，第二介质层延伸至第二电极表面，并设置有通孔，第二金属层通过通孔与第二电极电性连接，通孔未与第一介质层接触，第二电极上方无第一介质层，可彻底解决第一金属层在第一介质层的通孔内残留问题，可降低阵列基板制作时的困难，确保第一金属层不会与第二金属层发生电性连接的现象，避免第一金属层与第二金属层发生异常短路的风险，从而提高阵列基板的显示品质。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制备方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法。
技术介绍
薄膜晶体管阵列基板是平板显示装置的重要组成部分，可形成在玻璃基板或塑料基板上，通常作为开关装置和驱动装置用在如LCD(LiquidCrystalDisplay，LCD)显示装置与OLED(OrganicLightEmittingDisplay，OLED)显示装置中。如图1所示，低温多晶硅液晶显示面板在传统的薄膜晶体管阵列基板的制作工艺流程中，首先于基板101上依次制作第一金属层102、缓冲层103、有源层104，然后制作层间绝缘层105并进行蚀刻至有源层104的源极端的过孔和漏极端过孔，过孔均将有源层的部分裸露，接着制作第二金属层106，第二金属层106包括触控信号线1061、源极以及漏极1062，最后制作平坦化层107、公共电极层1081、钝化层1082以及像素电极109，在传统工艺中，公共电极层1081通过过孔1072与触控信号线1061电性连接，用于像素电极109与漏极1062接触的过孔从平坦化层107开始即成形，在平坦化层106刻蚀后本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，至少包括：/n衬底；/n同层设置的第一电极和第二电极，位于所述衬底的上方；/n第一介质层，位于所述第一电极和所述第二电极的上方，所述第一介质层对应所述第一电极的位置设置有过孔；/n第一金属层，位于所述第一介质层的上方，所述第一金属层通过所述过孔与所述第一电极电性连接；/n第二介质层，位于所述第一金属层的上方，所述第二介质层延伸至所述第二电极表面，并设置有通孔，所述通孔未与所述第一介质层接触；/n第二金属层，位于所述第二介质层的上方，所述第二金属层通过所述通孔与所述第二电极电性连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，至少包括：
衬底；
同层设置的第一电极和第二电极，位于所述衬底的上方；
第一介质层，位于所述第一电极和所述第二电极的上方，所述第一介质层对应所述第一电极的位置设置有过孔；
第一金属层，位于所述第一介质层的上方，所述第一金属层通过所述过孔与所述第一电极电性连接；
第二介质层，位于所述第一金属层的上方，所述第二介质层延伸至所述第二电极表面，并设置有通孔，所述通孔未与所述第一介质层接触；
第二金属层，位于所述第二介质层的上方，所述第二金属层通过所述通孔与所述第二电极电性连接。


2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极为触控信号线，所述第二电极为漏极，所述第一介质层为平坦化层，所述第一金属层为公共电极层，所述第二介质层为钝化层，所述第二金属层为像素电极层，所述平坦化层对应所述触控信号线位置上设置所述过孔，所述公共电极层通过所述过孔与所述触控信号线电性连接，所述钝化层对应所述所述漏极上设置所述通孔，所述像素电极层通过所述通孔与所述漏极电性连接。


3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极层与所述像素电极层均为透明ITO电极。


4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极层沿横纵和纵向划分成多个触控单元，每个触控单元单独与所述触控信号线电性连接，所述触控信号线与触控芯片电性连接。


5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述通孔表面形成有第一凹槽，所述像素电极沉积所述第一凹槽表面，所述像...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴咏波，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42