阵列基板制造技术

本申请提供一种阵列基板，其包括基底、衬底结构层、薄膜晶体管功能层和至少一压应力中和层，所述衬底结构层设置于所述基底上；所述薄膜晶体管功能层设置于所述衬底结构层上；所述压应力中和层至少集成在所述衬底结构层上，所述压应力中和层的张应力大于压应力。本申请改善了因氧化硅膜层的压应力大于张应力而发生的翘曲现象，提升了产品良率。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板
本申请涉及显示
，具体涉及一种阵列基板。
技术介绍
在顶栅型薄膜晶体管驱动的柔性OLED(有机发光二极管，OrganicLight-EmittingDiode)产品中，阵列基板中的无机膜层如阻挡层、缓冲层等通常采用氧化硅制备得到。然而，在目前的无机膜层沉积工艺条件下，由于氧化硅膜层的压应力大于张应力，导致多层氧化硅膜层进行叠加时易发生翘曲现象，严重影响了后段蒸镀等制程的顺利进行，从而大大降低了产品良率。
技术实现思路
本申请提供一种阵列基板，以解决因氧化硅膜层的压应力大于张应力而发生翘曲的技术问题。本申请提供一种阵列基板，其包括：基底；衬底结构层，所述衬底结构层设置于所述基底上；薄膜晶体管功能层，所述薄膜晶体管功能层设置于所述衬底结构层上；以及至少一压应力中和层，所述压应力中和层至少集成在所述衬底结构层上，所述压应力中和层的张应力大于压应力。在本申请的阵列基板中，所述压应力中和层的数量为两层，两层所述压应力中和层分别为第一压应力中和层和第二压应力中和层；本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：/n基底；/n衬底结构层，所述衬底结构层设置于所述基底上；/n薄膜晶体管功能层，所述薄膜晶体管功能层设置于所述衬底结构层上；以及/n至少一压应力中和层，所述压应力中和层至少集成在所述衬底结构层上，所述压应力中和层的张应力大于压应力。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
基底；
衬底结构层，所述衬底结构层设置于所述基底上；
薄膜晶体管功能层，所述薄膜晶体管功能层设置于所述衬底结构层上；以及
至少一压应力中和层，所述压应力中和层至少集成在所述衬底结构层上，所述压应力中和层的张应力大于压应力。


2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述压应力中和层的数量为两层，两层所述压应力中和层分别为第一压应力中和层和第二压应力中和层；
所述衬底结构层包括依次设置的阻挡结构层和缓冲结构层，所述第一压应力中和层集成在所述阻挡结构层上，所述第二压应力中和层集成在所述缓冲结构层上。


3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阻挡结构层的压应力大于张应力，所述阻挡结构层包括依次设置在所述基底上的第一无机层和第二无机层，所述第一压应力中和层集成在所述第一无机层靠近所述基底的一侧上；
所述缓冲结构层的压应力大于张应力，所述缓冲结构层包括第三无机层，所述第二压应力中和层集成在所述第三无机层靠近所述基底的一侧上。


4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一无机层的张应力大于压应力，所述第二无机层的压应力大于张应力；
所述第一压应力中和层与所述第一无机层...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘方梅，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44