【技术实现步骤摘要】
阵列基板以及液晶显示面板
本申请涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板以及液晶显示面板。
技术介绍
在显示面板中，随着分辨率或者尺寸以及频率的提高，对充电率的要求也随之升高。为提升充电率，增加栅极(GateElectrode，GE)膜层厚度及宽度是目前的主流方向。通过增加GE膜厚或者GE宽度，虽然可以在一定程度上提升充电率，但膜层增加容易导致应力增加，提升破片的风险。而GE宽度还受到开口率以及其他电性因素限制。
技术实现思路
有鉴于此，本申请目的在于提供一种能够提高充电率的阵列基板以及液晶显示面板。本申请提供一种阵列基板，其包括衬底以及设置于所述衬底上的一薄膜晶体管以及一金属连接层，所述薄膜晶体管包括有源层、栅极以及源极和漏极，所述栅极与所述金属连接层电连接。在一种实施方式中，，所述金属连接层与所述栅极位于不同层。在一种实施方式中，所述阵列基板还包括设置于所述衬底上的遮光层和覆盖所述遮光层的缓冲层，所述缓冲层对应于所述有源层设置，所述金属连接层为所述遮光层。在一种实施方式中，所...
【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括衬底以及设置于所述衬底上的一薄膜晶体管以及一金属连接层，所述薄膜晶体管包括有源层、栅极以及源极和漏极，所述栅极与所述金属连接层电连接。/n
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括衬底以及设置于所述衬底上的一薄膜晶体管以及一金属连接层，所述薄膜晶体管包括有源层、栅极以及源极和漏极，所述栅极与所述金属连接层电连接。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述金属连接层与所述栅极位于不同层。
3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括设置于所述衬底上的遮光层和覆盖所述遮光层的缓冲层，所述缓冲层对应于所述有源层设置，所述金属连接层为所述遮光层。
4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光层包括与所述栅极电连接的第一部分和与所述第一部分绝缘的第二部分，所述第一部分设置于所述栅极的正下方。
5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光层包括位于所述第一部分两侧的两个第二部分，所述有源层包括半导体区和位于所述半导体区两侧的源极区和漏极区，两个所述第二部分与所述源极区和所述漏极区一一对应设置。
6.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄建龙，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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