阵列基板及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种阵列基板及其制备方法，所述阵列基板包括：基板、第一氧化物有源层、第二氧化物有源层、栅极绝缘层、栅极、钝化层以及源漏电极层，通过设置两层具有高迁移率的有源层进行膜层叠加，可以提高阵列基板的迁移率。并且将所述的第一氧化物有源层设置为连续的金属块结构，第一氧化物有源层与第二氧化物有源层的垂直交叉区域起着导体的作用，该区域做为载流子的传输路径，进而可以在提高迁移率的同时，降低电流效应，用以解决Vth负漂的问题。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制备方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法。
技术介绍
随着液晶显示器尺寸的不断增大，驱动频率也不断提高，传统非晶硅薄膜晶体管的电子迁移率(迁移率为单位电场下电子的平均漂移速度，可以理解为导电能力)很难满足需求，而且均一性差。相比较来说，铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜晶体管有几个特点是很引人注目，包括低的工艺温度大的电子迁移率以及、优良的均匀性和表面平坦性等。特别是对于柔性衬底的IGZO产品，目前越来越引起大家的广泛关注。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种阵列基板，能够提高基板的迁移率，并可以解决阈值电压负漂的问题。为了达到上述目的，本专利技术提供一种阵列基板，包括：基板；第一氧化物有源层，设于所述基板上；第二氧化物有源层，设于所述基板上且包覆所述第一氧化物有源层；栅极绝缘层，设于所述第二氧化物有源层；栅极，设于所述栅极绝缘层上；钝化层，设于所述基板上且包覆所述栅极绝缘层、所述第一氧化物有源层以及所述第二氧化物有源层；源漏电极层，设于所述钝化层上且连接所述第二氧化物有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：/n基板；/n第一氧化物有源层，设于所述基板上；/n第二氧化物有源层，设于所述基板上且包覆所述第一氧化物有源层；/n栅极绝缘层，设于所述第二氧化物有源层；/n栅极，设于所述栅极绝缘层上；/n钝化层，设于所述基板上且包覆所述栅极绝缘层、所述第一氧化物有源层以及所述第二氧化物有源层；/n源漏电极层，设于所述钝化层上且连接所述第二氧化物有源层。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
基板；
第一氧化物有源层，设于所述基板上；
第二氧化物有源层，设于所述基板上且包覆所述第一氧化物有源层；
栅极绝缘层，设于所述第二氧化物有源层；
栅极，设于所述栅极绝缘层上；
钝化层，设于所述基板上且包覆所述栅极绝缘层、所述第一氧化物有源层以及所述第二氧化物有源层；
源漏电极层，设于所述钝化层上且连接所述第二氧化物有源层。


2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述第一氧化物有源层包括由所述第一氧化物有源层图案化形成的多个第一氧化物有源层部。


3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，
所述第一氧化物有源层部间隔设置，其中，相邻的所述第一氧化物有源层部之间具有预设间隙，所述第二氧化物有源层覆盖所述第一氧化物有源层且填充所述间隙。


4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述第一氧化物有源层的材料包括铟镓锡氧化物；和/或，
所述第二氧化物有源层的材料包括铟镓锌氧化物。


5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述第一氧化物有源层的厚度为50-100埃；和/或，
所述第一氧化物有源层的厚度为500-1000埃；和/或，
所述栅极绝缘层的厚度为100-1000埃。


6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述源漏电极层包括至少两层金属；
第一层金属的材料包括钼；
第二层金属的材料包...

【专利技术属性】
技术研发人员：翟玉浩，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44