一种减薄改善大直径半导体硅片表面平整度的工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种减薄改善大直径半导体硅片表面平整度的工艺，其实验工艺包括以下步骤：S1、首先将8寸直拉酸腐硅片、氨水、盐酸、双氧水、氢氟酸、去离子水、按照组分的重量份比称取各相应比例的组分，并放置到相应的储存器皿内部进行备用；S2、然后将称量配比好的8寸直拉酸腐硅片、氨水、盐酸、双氧水、氢氟酸、去离子水导入到混合器皿内部进行反应，然后通过DISCO单面减薄机进行单面减薄加工，并通过减薄清洗机对减薄后的硅片表面进行清洗；S3、最后通过ADE9600设备对清洗后的的硅片进行检验表面平整度，然后对硅片的相关参数进行鉴定提取，并将观察提取的相关数据进行记录对比，通过数据对比和分析得出相应的实验结果。

【技术实现步骤摘要】
一种减薄改善大直径半导体硅片表面平整度的工艺
本专利技术涉及半导体制造
，具体为一种减薄改善大直径半导体硅片表面平整度的工艺。
技术介绍
表面平整度是器件原材料单晶硅抛光片的重要特性参数。一方面，抛光工序本身的表面磨削技术大大提升了硅片表面平整度；另一方面，抛光工序来料的表面平整度良好也会提升抛光后的表面平整度。8寸抛光片在来料时平整度较差的原因为：(1)磨片工序本身改善平整度能力不足；(2)酸腐各向异性导致形貌变化较大，TTV等几何参数变差；起初，8寸抛光片在减薄后的TTV控制在1以下，SBIR不做卡控，该卡控标准会导致抛光来料的表面不够平整，导致抛光后的平整度不稳定，且局部平整度较差。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种减薄改善大直径半导体硅片表面平整度的工艺，以解决上述
技术介绍
中提出的8寸抛光片在来料时平整度较差的原因为：(1)磨片工序本身改善平整度能力不足；(2)酸腐各向异性导致形貌变化较大，TTV等几何参数变差；起初，8寸抛光片在减薄后的TTV控制在1以下，SBIR不做卡控，该卡控标准会导致抛本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种减薄改善大直径半导体硅片表面平整度的工艺，其特征在于：其实验工艺包括以下步骤：/nS1、首先将8寸直拉酸腐硅片、氨水、盐酸、双氧水、氢氟酸、去离子水、按照组分的重量份比称取各相应比例的组分，并放置到相应的储存器皿内部进行备用；/nS2、然后将称量配比好的8寸直拉酸腐硅片、氨水、盐酸、双氧水、氢氟酸、去离子水导入到混合器皿内部进行反应，然后通过DISCO单面减薄机进行单面减薄加工，并通过减薄清洗机对减薄后的硅片表面进行清洗；/nS3、最后通过ADE9600设备对清洗后的的硅片进行检验表面平整度，然后对硅片的相关参数进行鉴定提取，并将观察提取的相关数据进行记录对比，通过数据对比和分析得出相...

【技术特征摘要】
1.一种减薄改善大直径半导体硅片表面平整度的工艺，其特征在于：其实验工艺包括以下步骤：
S1、首先将8寸直拉酸腐硅片、氨水、盐酸、双氧水、氢氟酸、去离子水、按照组分的重量份比称取各相应比例的组分，并放置到相应的储存器皿内部进行备用；
S2、然后将称量配比好的8寸直拉酸腐硅片、氨水、盐酸、双氧水、氢氟酸、去离子水导入到混合器皿内部进行反应，然后通过DISCO单面减薄机进行单面减薄加工，并通过减薄清洗机对减薄后的硅片表面进行清洗；
S3、最后通过ADE9600设备对清洗后的的硅片进行检验表面平整度，然后对硅片的相关参数进行鉴定提取，并将观察提取的相关数据进行记录对比，通过数据对比和分析得出相应的实验结果。


2.一种减薄改善大直径半导体硅片，其特征在于：其一种减薄改善大直径半导体硅片的实验原料组成为：
8寸直拉酸腐硅片：CZ；
砂轮：迪斯科5000#砂轮；
氨水分析纯含量：28％-30％；
盐酸分析纯含量：35％-38％；
双氧水分析纯含量：30％-32％；
氢氟酸分析纯浓度：49％；
去离子水；
KILALA。


3.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：王昊宇，江笠，夏炜，
申请(专利权)人：中环领先半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32