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本发明公开了一种减薄改善大直径半导体硅片表面平整度的工艺，其实验工艺包括以下步骤：S1、首先将8寸直拉酸腐硅片、氨水、盐酸、双氧水、氢氟酸、去离子水、按照组分的重量份比称取各相应比例的组分，并放置到相应的储存器皿内部进行备用；S2、然后将称...
该专利属于中环领先半导体材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中环领先半导体材料有限公司授权不得商用。

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