一种MXene掺杂聚偏氟乙烯复合材料及其制备方法技术

一种MXene掺杂聚偏氟乙烯复合材料的制备方法，包括以下步骤：1、将氟化镁粉末与浓度为5~12 mol/L的盐酸混合，搅拌均匀至氟化镁完全溶解，制备得到刻蚀剂；2、将MAX粉末加入步骤1制备得到的刻蚀剂中进行刻蚀，刻蚀完成后调节溶液pH值在5~7之间，再将溶液离心水洗后得到沉淀物，最后将沉淀物烘干得到成品MXene；3、将步骤2得到的MXene和聚偏氟乙烯于不同比例混合，加入无水乙醇反复研磨得到预混合物，再采用热压成型工艺将预混合物热压成型，得到片层状的二维纳米材料MXene掺杂聚偏氟乙烯复合材料。本发明专利技术提供的方法制备得到的复合材料加工性能好，介电常数高、介电损耗低。

【技术实现步骤摘要】
一种MXene掺杂聚偏氟乙烯复合材料及其制备方法
本专利技术涉及介电材料
，尤其涉及一种MXene掺杂聚偏氟乙烯复合材料及其制备方法。
技术介绍
随着电子集成技术的快速发展以及电子领域巨大的需求，目前对电介质材料的性能及要求越来越高，如要求材料具有较好的介电性能，同时具备良好的加工性能和轻质化等特点。如何制备出性能优异、工艺简单且具有产业化价值的高性能介电材料已成为当今介电材料的研究重点。高分子材料在其应用领域中大多被介电常数所限制，虽然其优异的机械加工性能有利于工业化生产，但是制备出的电子元器件的介电性能不理想导致其无法大量应用。陶瓷相介电材料虽然拥有高介电性能但也存在加工复杂，成本较高，制备过程中产生缺陷会导致其高损耗等问题。以上饮食导致单一高分子材料和传统导电陶瓷均不能满足要求。因此，以聚合物为基体的高介电复合材料逐渐成为研究的热点。聚偏氟乙烯具有良好的物理和化学稳定性，且相对于大多数聚合物材料，拥有较高的介电常数，因此其被广泛用于介电材料的研究工作中。单一聚偏氟乙烯的介电常数仍然较低，无法满足人们对高介电性能材料的要求。二本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MXene掺杂聚偏氟乙烯复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1、将氟化镁粉末与浓度为5~12 mol/L的盐酸混合，搅拌均匀至氟化镁完全溶解，制备得到刻蚀剂；/nS2、将MAX粉末加入步骤S1制备得到的刻蚀剂中进行刻蚀，刻蚀完成后调节溶液pH值在5~7之间，再将溶液离心水洗后得到沉淀物，最后将沉淀物烘干得到成品MXene；/nS3、将步骤S2得到的MXene和聚偏氟乙烯于不同比例混合，加入无水乙醇反复研磨得到预混合物，再采用热压成型工艺将预混合物热压成型，得到片层状的二维纳米材料MXene掺杂聚偏氟乙烯复合材料。/n

【技术特征摘要】
1.一种MXene掺杂聚偏氟乙烯复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、将氟化镁粉末与浓度为5~12mol/L的盐酸混合，搅拌均匀至氟化镁完全溶解，制备得到刻蚀剂；
S2、将MAX粉末加入步骤S1制备得到的刻蚀剂中进行刻蚀，刻蚀完成后调节溶液pH值在5~7之间，再将溶液离心水洗后得到沉淀物，最后将沉淀物烘干得到成品MXene；
S3、将步骤S2得到的MXene和聚偏氟乙烯于不同比例混合，加入无水乙醇反复研磨得到预混合物，再采用热压成型工艺将预混合物热压成型，得到片层状的二维纳米材料MXene掺杂聚偏氟乙烯复合材料。


2.根据权利要求1所述的一种MXene掺杂聚偏氟乙烯复合材料的制备方法，其特征在于：所述氟化镁与所述盐酸的质量体积比为10:50~100g/mL。


3.根据权利要求2所述的一种MXene掺杂聚偏氟乙烯复合材料的制备方法，其特征在于：所述MAX粉末与所述氟化镁的质量比为10:10~35。


4.根据权利要求3所述的一种MXene掺杂聚偏氟乙烯复合材料的制备方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭富民，权红英，刘煜，
申请(专利权)人：南昌航空大学，
类型：发明
国别省市：江西;36