表面处理铜箔及铜箔基板制造技术

一种表面处理铜箔(100)，包括处理面(100A)，其中处理面(100A)的空隙体积(Vv)和实体体积(Vm)的总和为0.13至1.50μm

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】表面处理铜箔及铜箔基板
本揭露关于一种铜箔的
，特别是关于一种表面处理铜箔及其铜箔基板。
技术介绍
随着电子产品逐渐朝向轻薄以及传递高频讯号的趋势发展，对于铜箔和铜箔基板的需求也日益提升。一般而言，铜箔基板的铜导电线路会被绝缘载板承载，且藉由导电线路的布局设计，其可将电讯号沿着预定的路径传递至预定区域。此外，对于用于传递高频电讯号(例如高于10GHz)的铜箔基板而言，其铜箔基板的导电线路亦必须进一步优化，以降低因集肤效应(skineffect)而产生的讯号传递损失(signaltransmissionloss)。所谓的集肤效应，是指随着电讯号的频率增加，电流的传递路径会愈集中于导线的表面，例如紧邻于载板的导线表面。为了降低集肤效应而产生的讯号传递损失，现有作法是尽可能将铜箔基板中紧邻于载板的导线表面予以平坦化。然而，即便上述作法确实可有效降低铜箔基板所产生的讯号传递损失，其仍存有待克服的技术缺失。举例而言，由于导线表面会较平坦，因此导线和载板间的附着性通常会较低。在这样的情况下，即便采用了较低粗糙度的铜箔以制作导线，铜箔基板中的导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种表面处理铜箔，包括一处理面，其中所述处理面的空隙体积(Vv)和实体体积(Vm)的总和为0.13至1.50μm

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20190201 US 62/800,263;20191125 US 16/694,434一种表面处理铜箔，包括一处理面，其中所述处理面的空隙体积(Vv)和实体体积(Vm)的总和为0.13至1.50μm
3/μm
2，且所述处理面的均方根梯度(Sdq)小于或等于1.0。



如权利要求1所述的表面处理铜箔，其中所述处理面的均方根梯度(Sdq)为0.4至1.0。


如权利要求1所述的表面处理铜箔，其中所述处理面的黄色指数(YI)为17至52。


如权利要求1所述的表面处理铜箔，其中所述处理面的空隙体积(Vv)为0.10至0.85μm
3/μm
2。



如权利要求1所述的表面处理铜箔，其中所述处理面的实体体积(Vm)为0.05至0.60μm
3/μm
2。



如权利要求1所述的表面处理铜箔，进一步包括一主体铜箔，所述主体铜箔为电解铜箔，其中基于0.5％应变下的全应变法，所述表面处理铜箔的降伏强度为8.5至26kg/mm
2。



如权利要求6所述的表面处理铜箔，进一步包括一主体铜箔，所述主体铜箔为电解铜箔，其中基于0.5％应变下的全应变法，所述表面处理铜箔的降伏强度为8.5至20kg/mm
2。



如权利要求7所述的表面处理铜箔，进一步包括一主体...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄建铭，赖耀生，周瑞昌，
申请(专利权)人：长春石油化学股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71