表面处理铜箔及铜箔基板制造技术

一种表面处理铜箔(100)，包括处理面(100A)，其中处理面(100A)的空隙体积(Vv)和实体体积(Vm)的总和为0.13至1.50μm

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】表面处理铜箔及铜箔基板
本揭露关于一种铜箔的
，特别是关于一种表面处理铜箔及其铜箔基板。
技术介绍
随着电子产品逐渐朝向轻薄以及传递高频讯号的趋势发展，对于铜箔和铜箔基板的需求也日益提升。一般而言，铜箔基板的铜导电线路会被绝缘载板承载，且藉由导电线路的布局设计，其可将电讯号沿着预定的路径传递至预定区域。此外，对于用于传递高频电讯号(例如高于10GHz)的铜箔基板而言，其铜箔基板的导电线路亦必须进一步优化，以降低因集肤效应(skineffect)而产生的讯号传递损失(signaltransmissionloss)。所谓的集肤效应，是指随着电讯号的频率增加，电流的传递路径会愈集中于导线的表面，例如紧邻于载板的导线表面。为了降低集肤效应而产生的讯号传递损失，现有作法是尽可能将铜箔基板中紧邻于载板的导线表面予以平坦化。然而，即便上述作法确实可有效降低铜箔基板所产生的讯号传递损失，其仍存有待克服的技术缺失。举例而言，由于导线表面会较平坦，因此导线和载板间的附着性通常会较低。在这样的情况下，即便采用了较低粗糙度的铜箔以制作导线，铜箔基板中的导线仍很容易自载板的表面剥离，致使电讯号无法沿着预定路径传递至预定区域。因此，仍有必要提供一种表面处理铜箔及铜箔基板，以解决先前技术中所存在的缺失。
技术实现思路
有鉴于此，本揭露提供有一种改良的表面处理铜箔及铜箔基板，解决了先前技术中所存在的缺失。根据本揭露的一实施例，提供一种表面处理铜箔，表面处理铜箔包括处理面，其中处理面的空隙体积(voidvolume，Vv)和实体体积(materialvolume，Vm)的总和为0.13至1.50μm3/μm2(μm3/μm2是指单位面积为1μm2的表面所具有的体积)，且处理面的均方根梯度(Sdq)小于或等于1.0。可选择地，根据本揭露的另一实施例，提供一种表面处理铜箔，表面处理铜箔包括主体铜箔，以及设置于主体铜箔的表面处理层。其中，表面处理层的外侧为表面处理铜箔的处理面，且表面处理层包括粗化层。处理面的空隙体积(Vv)和实体体积(Vm)的总和为0.13至1.50μm3/μm2，且处理面的均方根梯度(Sdq)小于或等于1.0。可选择地，前述主体铜箔为电解铜箔，且表面处理层设置于电解铜箔的沉积面。可选择地，前述主体铜箔为压延铜箔。根据本揭露的又一实施例，提供一种铜箔基板。铜箔基板包括载板以及设置在主体铜箔和载板之间的表面处理铜箔，其中表面处理铜箔包括面向载板的处理面。处理面的空隙体积(Vv)和实体体积(Vm)的总和为0.13至1.50μm3/μm2，且处理面的均方根梯度(Sdq)小于或等于1.0根据上述实施例，藉由将表面处理铜箔的处理面的空隙体积(Vv)和实体体积(Vm)的总和控制为0.13至1.50μm3/μm2，且处理面的均方根梯度(Sdq)控制为小于或等于1.0，当后续将表面处理铜箔压合至载板时，处理面和载板间的附着性会更佳，且亦能保持较低的讯号传递损失程度。藉由提升表面处理铜箔处理面和载板间的附着性，后续经由蚀刻程序而形成的导电线路便不易自载板的表面剥离，进而提升了铜箔基板的良率及耐用性。【附图说明】图1是根据本揭露一实施例所绘示的表面处理铜箔的剖面示意图。图2是本揭露一实施例的表面处理铜箔的表面高度和负载率间的关系图。图3是根据本揭露一实施例所绘示的带状线(stripline)的示意图。【具体实施方式】于下文中，加以陈述表面处理铜箔、铜箔基板及印刷电路板的具体实施方式，使本
中具有通常技术者可据以实现本专利技术。该些具体实施方式可参考相对应的图式，使该些图式构成实施方式的一部分。虽然本揭露的实施例揭露如下，然而其并非用以限定本揭露，任何熟习此技艺者，在不脱离本揭露的精神和范畴内，当可作些许的更动与润饰。其中，各实施例以及实验例所使用的方法，如无特别说明，则为常规方法。针对本揭露中所提及的空间相关的叙述词汇，「在…上」及「在…上方」等用语在本揭露中的含义应该以最宽泛方式来解释，使得「在…上」及「在…上方」等用语不仅指直接处于某物上，而且还可以包括在有中间特征或中间层位于二者之间的情况下而处于某物上，并且「在…上」或「在…上方」不仅指处于某物之上或上方，而且还可以包括在二者之间没有中间特征或中间层的情况下而处于在某物之上或上方(即直接处于某物上)的态样。此外，在下文中除非有相反的指示，本揭露及申请权利要求范围所阐述的数值参数约略数，其可视需要而变化，或至少应根据所揭露的有意义的位数数字并且使用通常的进位方式，以解读各个数值参数。本揭露中，范围可表示为从一端点至另一端点，或是在两个端点之间。除非特别声明，否则本揭露中的所有范围皆包含端点。须知悉的是，在不脱离本揭露的精神下，下文所描述的不同实施方式中的技术特征彼此间可以被置换、重组、混合，以构成其他的实施例。图1是根据本揭露一实施例所绘示的表面处理铜箔的剖面示意图。如图1所示，表面处理铜箔100至少包括处理面100A。根据本揭露一实施例的表面处理铜箔100还进一步包括主体铜箔110及表面处理层112。主体铜箔110可以是压延铜箔或是电解铜箔，其厚度通常大于或等于6μm，例如介于7-250μm之间，或介于9μm～210μm之间。对于主体铜箔110为电解铜箔的情形，此电解铜箔可透过电沉积(或称电解、电解沉积、电镀)制程而被形成。主体铜箔110具有两相对设置的第一面110A和第二面110B。根据本揭露的一实施例，当主体铜箔110为压延铜箔时，第一面110A和第二面110B至少一者的算术平均高度(Ra)为0.1μ～0.4μm，但不限定于此。根据本揭露的一实施例，当主体铜箔110为电解铜箔时，电解铜箔的沉积面(depositedside)可以对应至主体铜箔110的第一面110A，而电解铜箔的辊筒面(drumside)可以对应至主体铜箔110的第二面110B，但不限定于此。根据本揭露的一实施例，主体铜箔110的第一面110A和第二面110B上可分别设置有其他的层，例如可在第一面110A设置表面处理层112，及/或在第二面110B设置另一表面处理层112。对于设置有表面处理层112的表面处理铜箔100而言，表面处理层112的外侧面可以被视为是表面处理铜箔100的处理面100A。根据本揭露的其他实施例，主体铜箔110的第一面110A和第二面110B可以进一步设置有其他的单层或多层结构、或是第一面110A和第二面110B的表面处理层112可以被其他的单层或多层结构取代、或是第一面110A和第二面110B未设置有任何层，但不限定于此。因此，在这些实施例中，表面处理铜箔100的处理面100A便不会对应至表面处理层112的外侧面，而可能会对应至其他单层或多层结构的外侧面，或可能会对应至主体铜箔110的第一面110A和第二面110B，但不限定于此。前述表面处理层112可以是单层，或是包括多个本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种表面处理铜箔，包括一处理面，其中所述处理面的空隙体积(Vv)和实体体积(Vm)的总和为0.13至1.50μm

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20190201 US 62/800,263;20191125 US 16/694,434一种表面处理铜箔，包括一处理面，其中所述处理面的空隙体积(Vv)和实体体积(Vm)的总和为0.13至1.50μm
3/μm
2，且所述处理面的均方根梯度(Sdq)小于或等于1.0。



如权利要求1所述的表面处理铜箔，其中所述处理面的均方根梯度(Sdq)为0.4至1.0。


如权利要求1所述的表面处理铜箔，其中所述处理面的黄色指数(YI)为17至52。


如权利要求1所述的表面处理铜箔，其中所述处理面的空隙体积(Vv)为0.10至0.85μm
3/μm
2。



如权利要求1所述的表面处理铜箔，其中所述处理面的实体体积(Vm)为0.05至0.60μm
3/μm
2。



如权利要求1所述的表面处理铜箔，进一步包括一主体铜箔，所述主体铜箔为电解铜箔，其中基于0.5％应变下的全应变法，所述表面处理铜箔的降伏强度为8.5至26kg/mm
2。



如权利要求6所述的表面处理铜箔，进一步包括一主体铜箔，所述主体铜箔为电解铜箔，其中基于0.5％应变下的全应变法，所述表面处理铜箔的降伏强度为8.5至20kg/mm
2。



如权利要求7所述的表面处理铜箔，进一步包括一主体...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄建铭，赖耀生，周瑞昌，
申请(专利权)人：长春石油化学股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71