半导体元件制造技术

本发明专利技术公开一种半导体元件，其包含一主动层、一第一半导体层、一第一应力缓冲结构位于该主动层及该第一半导体层之间、一中间层位于该第一应力缓冲结构及该主动层之间，其中，该第一应力缓冲结构包含多个第一子层以及多个第二子层彼此交叠，该第二子层的带隙小于该第一子层的带隙，该中间层包含一第一部分邻接该第一应力缓冲结构以及一第二部分邻接该主动层，该第二部分与该第二子层各包含一铟含量且该第二部分的铟含量小于该第二子层的铟含量。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件
本专利技术涉及一半导体元件，特别是涉及具有中间层的半导体元件。
技术介绍
III-V族化合物半导体已被广泛开发应用于各式的电子元件，例如高电子迁移率晶体管(highelectron-mobilitytransistor；HEMT)、高效率光伏元件(photovoltaicdevice)、以及发光二极管(light-emittingdiode；LED)。以发光二极管为例，发光二极管已被视为取代传统光源的最佳解决方案之一，为能更进一步地达成节能省碳的功效，亮度提升一直是本领域人员长期的研究课题。发光二极管的亮度提升主要分为两部分，一为内部量子效率(InternalQuantumEfficiency；IQE)的提升，主要通过外延薄膜结构的改善以增进电子空穴的结合效率；另一方面为光摘出效率(LightExtractionEfficiency；LEE)的提升，主要着重在使主动层发出的光线能有效穿透至元件外部，降低光线被发光二极管内部结构所吸收。本专利技术即在改善III-V族化合物半导体元件的外延薄膜结构的品质，进而提高半导体元本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体元件，其特征在于，包含:/n主动层；/n第一半导体层；/n第一应力缓冲结构，位于该主动层及该第一半导体层之间，该第一应力缓冲结构包含多个第一子层以及多个第二子层彼此交叠，该第二子层的带隙小于该第一子层的带隙；/n中间层，位于该第一应力缓冲结构及该主动层之间，其中该中间层包含第一部分邻接该第一应力缓冲结构以及第二部分邻接该主动层，其中，该第二部分与该第二子层各包含铟含量且该第二部分的铟含量小于该第二子层的铟含量。/n

【技术特征摘要】
20190524 TW 1081180171.一种半导体元件，其特征在于，包含:
主动层；
第一半导体层；
第一应力缓冲结构，位于该主动层及该第一半导体层之间，该第一应力缓冲结构包含多个第一子层以及多个第二子层彼此交叠，该第二子层的带隙小于该第一子层的带隙；
中间层，位于该第一应力缓冲结构及该主动层之间，其中该中间层包含第一部分邻接该第一应力缓冲结构以及第二部分邻接该主动层，其中，该第二部分与该第二子层各包含铟含量且该第二部分的铟含量小于该第二子层的铟含量。


2.如权利要求1所述的半导体元件，其中，该第二部分的厚度与该中间层的厚度的比值介于0.1至0.5之间。


3.如权利要求1所述的半导体元件，其中，该第二部分的厚度大于或等于该第二子层的厚度。


4.如权利要求1所述的半导体元件，其中，该第一部分及/或该第一子层不包含铟。

【专利技术属性】
技术研发人员：刘家铭，谢昌桦，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71