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本发明公开一种半导体元件，其包含一主动层、一第一半导体层、一第一应力缓冲结构位于该主动层及该第一半导体层之间、一中间层位于该第一应力缓冲结构及该主动层之间，其中，该第一应力缓冲结构包含多个第一子层以及多个第二子层彼此交叠，该第二子层的带隙小...
该专利属于晶元光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过晶元光电股份有限公司授权不得商用。

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