一种具有高场转移结构的异质结肖特基势垒二极管制造技术

本发明专利技术属于半导体技术领域，具体是涉及一种具有高场转移结构的异质结肖特基势垒二极管。本发明专利技术的结构，主要是在传统结构中，提出了低功函数阳极金属与等效固定负电荷的区域形成的高场转移结构。本发明专利技术的结构使二极管具有低开启电压、良好正向导通性能和高耐压性能，器件能正向快速导通且具有良好的电流传输性能。在器件处于反向高压状态时，能有效分散阳极附近高场聚集，有效保护器件和电路，具有较高阻断电压的性能，且能在高频、微波领域如实现零偏探测器等场合广泛应用。

【技术实现步骤摘要】
一种具有高场转移结构的异质结肖特基势垒二极管
本专利技术属于半导体
，具体是涉及一种具有高场转移结构的异质结肖特基势垒二极管(SBD)。
技术介绍
III-V族化合物半导体氮化镓(GaN)作为化合物半导体的典型代表，已经成为最具前景的第三代半导体之一。GaN异质结器件具有许多优良的电学特性，如：其高电子迁移率、高的二维电子气(2DEG)浓度等。另外，氮化镓(GaN)材料是一种宽禁带半导体，其化学性质稳定、耐高温、抗腐蚀，在高频、大功率、抗辐射应用领域具有先天优势，因此在最近十几年得到迅速发展。二极管是功率电路系统中一种重要组件，GaN基SBD在功率电路或高频电路中可作为电源开关模块或变频驱动模块等等。而基于横向GaN基异质结的SBD可与横向HEMT单片集成，以减少芯片面积而提高效率。对于SBD应用，反向耐压与开启电压是两个重要性能指标。为了在横向SBD中同时实现高反向击穿电压与低开启电压的两种器件性能，学界进行了许多探索，提出了诸如高功函数金属与低功函数金属混合阳极、阳极附近的凹槽形场板、P-GaN帽层与异形阳极等等结构。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有高场转移结构的异质结肖特基势垒二极管，包括衬底(1)、位于衬底上表面的缓冲层(2)和位于缓冲层(2)上表面的势垒层(3)，所述缓冲层(2)与势垒层(3)形成异质结；在二极管上表面一侧，具有贯穿势垒层(3)并延伸入缓冲层(2)中的阴极金属(7)，阴极金属(7)与势垒层(3)形成欧姆接触；在势垒层(3)上表面具有钝化层(4)；其特征在于，在二极管上表面另一侧，具有贯穿势垒层(3)并延伸入缓冲层(2)中的阳极金属(6)，与阳极金属(6)接触的部分钝化层(4)，具有带负电荷的区域(5)，阳极金属(6)与带负电荷的区域(5)形成高场转移结构；所述阳极金属(6)为功函数低于4.7eV的低功函数...

【技术特征摘要】
1.一种具有高场转移结构的异质结肖特基势垒二极管，包括衬底(1)、位于衬底上表面的缓冲层(2)和位于缓冲层(2)上表面的势垒层(3)，所述缓冲层(2)与势垒层(3)形成异质结；在二极管上表面一侧，具有贯穿势垒层(3)并延伸入缓冲层(2)中的阴极金属(7)，阴极金属(7)与势垒层(3)形成欧姆接触；在势垒层(3)上表面具有钝化层(4)；其特征在于，在二极管上表面另一侧，具有贯穿势垒层(3)并延伸入缓冲层(2)中的阳极金属(6)，与阳极金属(6)接触的部分钝化层(4)，具有带负电荷的区域(5)，阳极金属(6)与带负电荷的区域(5)形成高场转移结构；所述阳极金属(6)为功函数低于4.7eV的低功函数金属；所述高场转移结构的定义是，通过带负电荷的区域(5)保护阳极金属(6)不被击穿的结构，是通过高电场点的位置转移，在器件的反向阻断过程中在所保护的低功函数金属电极被击穿前，将高电场聚集的点的位置从低功函数金属电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：王泽恒，姚远哲，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51