温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明属于半导体技术领域，具体是涉及一种具有高场转移结构的异质结肖特基势垒二极管。本发明的结构，主要是在传统结构中，提出了低功函数阳极金属与等效固定负电荷的区域形成的高场转移结构。本发明的结构使二极管具有低开启电压、良好正向导通性能和高耐压...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。