半导体装置制造方法及图纸

提供一种半导体装置及其制造方法。前述半导体装置包括栅极堆叠以及源极/漏极区。栅极堆叠位于有源区上方。源极/漏极区位于前述有源区中且邻接于前述栅极堆叠，并包括：第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层以及第四半导体层。第一半导体层具有第一锗浓度。第二半导体层位于第一半导体层上方，且具有大于第一锗浓度的第二锗浓度。第三半导体层位于第二半导体层上方，且具有大于第二锗浓度的第三锗浓度。第四半导体层位于第三半导体层上方，且具有小于第三锗浓度的第四锗浓度。

Semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本公开实施例有关于一种半导体装置及其制造方法，特别是有关于一种包括具有不同锗浓度的半导体层的源极/漏极区的半导体装置及其制造方法。
技术介绍
半导体装置用于各种电子应用中，例如个人电脑、手机、数码相机和其他电子设备。通常是透过在半导体基板上方依序沉积绝缘或介电层、导电层和半导体层材料，并利用光刻制程以图案化各种材料层来在半导体基板上形成电路元件和部件来制造半导体装置。半导体产业透过不断地缩小最小特征尺寸以持续改良各种电子元件(例如：晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的积体密度，其允许将更多元件整合至特定区域中。然而，随着最小特征尺寸的缩小，产生出应解决的额外问题。
技术实现思路
本公开实施例提供一种半导体装置，包括：栅极堆叠以及源极/漏极区。前述栅极堆叠位于有源区上方。前述源极/漏极区位于前述有源区中且邻接于前述栅极堆叠，前述源极/漏极区包括：第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层以及第四半导体层。前述第一半导体层具有第一锗浓度。前述第二半导体层位于前述第一半导体层上方，其中前述第二半导体层具有第二锗浓本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：/n一栅极堆叠，位于一有源区上方；以及/n一源极/漏极区，位于该有源区中且邻接于该栅极堆叠，该源极/漏极区包括：/n一第一半导体层，具有一第一锗浓度；/n一第二半导体层，位于该第一半导体层上方，其中该第二半导体层具有一第二锗浓度，且该第二锗浓度大于该第一锗浓度；/n一第三半导体层，位于该第二半导体层上方，其中该第三半导体层具有一第三锗浓度，且该第三锗浓度大于该第二锗浓度；以及/n一第四半导体层，位于该第三半导体层上方，其中该第四半导体层具有一第四锗浓度，且该第四锗浓度小于该第三锗浓度。/n

【技术特征摘要】
20180928 US 62/738,085;20190708 US 16/504,7481.一种半导体装置，包括：
一栅极堆叠，位于一有源区上方；以及
一源极/漏极区，位于该有源区中且邻接于该栅极堆叠，该源极/漏极区包括：
一第一半导体层，具有一第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：李昆穆，宋学昌，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71