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提供一种半导体装置及其制造方法。前述半导体装置包括栅极堆叠以及源极/漏极区。栅极堆叠位于有源区上方。源极/漏极区位于前述有源区中且邻接于前述栅极堆叠，并包括：第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层以及第四半导体层。第一半导体层具有第一锗浓...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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