一种抗辐照双栅LDMOS器件结构制造技术

本发明专利技术提供一种抗辐照双栅LDMOS器件结构，包括P型衬底、P阱、N型漂移区；源区P+注入、右侧源区N+注入、N+注入、薄栅氧化层、NMOS多晶硅、LDMOS厚栅氧化层、LDMOS多晶硅、LDMOS场氧化层、漏极N+注入，本发明专利技术和传统的BCD工艺相兼容，不需要添加任何特殊的工艺步骤；本发明专利技术提出的结构，在不改变器件宽长比的情况下，采用了薄栅NMOS作为控制常规LDMOS漏电流从漏极流向源极的开关，能够降低总剂量辐照后产生的泄漏电流，提高总剂量的抗辐照能力。

【技术实现步骤摘要】
一种抗辐照双栅LDMOS器件结构
本专利技术涉及一种功率管，特别涉及一种能降低总剂量辐照后阈值电压漂移量的功率管器件结构。
技术介绍
LDMOS(LateralDouble-diffusedMetal-Oxide-Semiconductor),相比于VDMOS(VerticalDouble-diffusedMetal-Oxide-Semiconductor),其更容易与CMOS(ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor)工艺相兼容。因此LDMOS在集成电路中的也被广泛应用于各种功率转换的集成电路中，如开关电源电路、LDO电路、充电电路等。当LDMOS器件运用在航天器的开关电源、LDO、充电电路上时，必然受扰辐照的影响。宇宙空间中存在大量的带电粒子和宇宙射线，这些带电粒子和高能射线会导致LDMOS器件的电性参数发生退化，称之为总剂量效应，主要表现有阈值电压降低、跨导降低、亚阈值电流增大、1/f噪声增加，严重的甚至导致元器件完全失效，大幅降低了器件的可靠性。如图1所示为常规的N型LDMOS的俯视图本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抗辐照双栅LDMOS器件结构，其特征在于：包括位于底部的P型衬底(1)；P衬底(1)左上方的P阱(2)；P衬底(1)右上方的N型漂移区(12)；P阱内左上方的源区P+注入(4)；位于源区P+注入(4)的右侧源区N+注入(3)；位于源区N+注入(3)的右侧的N+注入(5)；位于P阱(2)上方，N+注入(3)和N+注入(5)之间的薄栅氧化层(6)；位于薄栅氧化层(6)上方的NMOS多晶硅(7)；位于P阱(2)和N型漂移区(12)之上的LDMOS厚栅氧化层(8)；位于LDMOS厚栅氧化层(8)上方的LDMOS多晶硅(9)；位于N型漂移区(12)上方的LDMOS场氧化层(10)；位于N型漂移区...

【技术特征摘要】
1.一种抗辐照双栅LDMOS器件结构，其特征在于：包括位于底部的P型衬底(1)；P衬底(1)左上方的P阱(2)；P衬底(1)右上方的N型漂移区(12)；P阱内左上方的源区P+注入(4)；位于源区P+注入(4)的右侧源区N+注入(3)；位于源区N+注入(3)的右侧的N+注入(5)；位于P阱(2)上方，N+注入(3)和N+注入(5)之间的薄栅氧化层(6)；位于薄栅氧化层(6)上方的NMOS多晶硅(7)；位于P阱(2)和N型漂移区(12)之上的LDMOS厚栅氧化层(8)；位于LDMOS厚栅氧化层(8)上方的LDMOS多晶硅(9)；位于N型漂移区(12)上方的LDMOS场氧化层(10)；位于N型漂移区(12)右上方的漏极N+注入(11)，LDMOS厚栅氧化层(8)的厚度大于薄栅氧化层(6)。


2.根据权利要求1所述的抗辐照双栅LDMOS器件结构，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：方健，马红跃，黎明，雷一博，卜宁，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51