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本发明提供一种抗辐照双栅LDMOS器件结构，包括P型衬底、P阱、N型漂移区；源区P+注入、右侧源区N+注入、N+注入、薄栅氧化层、NMOS多晶硅、LDMOS厚栅氧化层、LDMOS多晶硅、LDMOS场氧化层、漏极N+注入，本发明和传统的BCD...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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