一种微型发光二极管转移方法技术

本发明专利技术提出一种微型发光二极管转移方法，涉及微型发光二极管领域，本发明专利技术公开一种微型发光二极管转移方法，在外延层上同时形成微型发光二极管和对位标记，并将两者同步转移至接受基板，利用对位标记的对位作用，可将接受基板上的整面键合金属层在转移微型发光二极管过后进行图形化定义形成键合区，保证形成的接受基板上微型发光二极管一直处于键合区的中间位置不会偏移，且本发明专利技术工艺简单，转移方便。

【技术实现步骤摘要】
一种微型发光二极管转移方法
本专利技术属于微型发光二极管领域，具体涉及一种微型发光二极管转移方法。
技术介绍
微型发光二极管(MicroLED)作为新一代显示技术，比现有的OLED技术具有亮度更高、发光效率更好以及功耗更低的优点。MicroLED显示的原理是先将LED结构进行薄膜化、微小化和阵列化，MicroLED的尺寸仅在1-20μm等级左右；之后要将MicroLED批量式转移至电路基板上，电路基板可以为硬性或软性的透明/不透明基板；然后利用沉积制程完成保护层与上电极的制作，最后可进行上基板的封装。目前，MicroLED技术的最大难点为巨量转移过程，巨量转移就是将大量的1-20μm的LED器件转移至背板上。通常的巨量转移方法是将大量的MicroLED利用吸头吸取转移至背板，与背板上的键合区进行对位键合。由于MicroLED的尺寸较小，在吸取和放置至背板的过程中都会出现偏移，最终会导致MicroLED在背板上偏移出金属键合区。
技术实现思路
本专利技术提供一种微型发光二极管转移方法，通过对位标记的对位作用帮助微型发光本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微型发光二极管转移方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1：提供一包括生长基板、外延层和第一金属材料层的外延片；/nS2：第一金属材料层与暂态基板的粘合层进行贴合；/nS3：首先剥离生长基板，然后在外延层上沉积第二金属材料层；/nS4：在第二金属材料层上涂布第一光阻，并对第一光阻进行图案化；/nS5：首先，对第二金属材料层、外延层和第一金属材料层进行刻蚀，形成阵列分布的微型发光二极管、位于微型发光二极管附近对位标记、均位于微型发光二极管和对位标记上的第二金属层以及均位于微型发光二极管和对位标记下的第一金属层，刻蚀完成后去除第一光阻；/nS6：转移头吸取第二金属层转移至接受基板的第三金属...

【技术特征摘要】
1.一种微型发光二极管转移方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：提供一包括生长基板、外延层和第一金属材料层的外延片；
S2：第一金属材料层与暂态基板的粘合层进行贴合；
S3：首先剥离生长基板，然后在外延层上沉积第二金属材料层；
S4：在第二金属材料层上涂布第一光阻，并对第一光阻进行图案化；
S5：首先，对第二金属材料层、外延层和第一金属材料层进行刻蚀，形成阵列分布的微型发光二极管、位于微型发光二极管附近对位标记、均位于微型发光二极管和对位标记上的第二金属层以及均位于微型发光二极管和对位标记下的第一金属层，刻蚀完成后去除第一光阻；
S6：转移头吸取第二金属层转移至接受基板的第三金属材料层上进行键合，其中在吸取第二金属层时同时带微型发光二极管、对位标记和第一金属层一起转移；
S7：在接受基板上涂布第二光阻，利用对位标记进行光罩对位，曝光显影后对第三金属材料层进行刻蚀形成位于微型发光二极管和对位标记底部的键合区，刻蚀完成后去除第二光阻。


2.根据权利要求1所述的微型发光二极管转移方法，其特征在于，只转移部分微型发光二极管和部分对位标记至接受基板，剩余的微型发光二极管和对位标记按照步骤S6和步骤S7重复转移至多个接受基板。


3.根据权利要求1或2所述的微型发光...

【专利技术属性】
技术研发人员：张惟诚，王俊星，黄安，朱景辉，
申请(专利权)人：南京中电熊猫液晶显示科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32