半导体设备及提高静电吸盘吸附晶圆能力的方法技术

本发明专利技术提供一种半导体设备及提高静电吸盘吸附晶圆能力的方法，半导体设备包括：静电吸盘，用于吸附晶圆；光源，用于将发射的光线照射于吸附在静电吸盘上的晶圆上，以增大晶圆内载流子的浓度，从而增大静电吸盘对所述晶圆的吸附力。本发明专利技术的半导体设备通过设置光源对吸附于静电吸盘上的晶圆进行照射，可以增大晶圆内部的载流子浓度，从而增大静电吸盘与晶圆接触的吸附点的电流，从而增大静电吸盘对晶圆的吸附力。

【技术实现步骤摘要】
半导体设备及提高静电吸盘吸附晶圆能力的方法
本专利技术属于半导体
，特别是涉及一种半导体设备及提高静电吸盘吸附晶圆能力的方法。
技术介绍
静电吸盘(E-Chuck)是一种在很多半导体工艺中用于吸附固定晶圆的装置，譬如，在化学气相沉积(CVD，ChemicalVaporDeposition)工艺、物理气相沉积(PVD，PhysicalVaporDeposition)工艺、离子注入工艺及刻蚀工艺中均需使用静电吸盘来吸附固定晶圆。现有的常规晶圆的电阻率为20欧姆.厘米(Ohm.cm)，现有的静电吸盘对于上述电阻率较低的常规晶圆可以满足吸附固定的需要；然而，有一些特殊的晶圆(譬如，SOI晶圆等)其电阻率较高，可以达到3000欧姆.厘米～40000欧姆.厘米。对于电阻率较高的晶圆，静电吸盘在对其进行吸附时，由于静电吸盘上的电流较小，会导致静电吸盘上的电流低于最低标准而发生报警，甚至会导致晶圆掉落而导致损伤晶圆。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种半导体设备及提高静电吸盘吸附晶圆能力的方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体设备，其特征在于，所述半导体设备包括：/n静电吸盘，用于吸附晶圆；/n光源，用于将发射的光线照射于吸附在所述静电吸盘上的所述晶圆上，以增大所述晶圆内载流子的浓度，从而增大所述静电吸盘对所述晶圆的吸附力。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体设备，其特征在于，所述半导体设备包括：
静电吸盘，用于吸附晶圆；
光源，用于将发射的光线照射于吸附在所述静电吸盘上的所述晶圆上，以增大所述晶圆内载流子的浓度，从而增大所述静电吸盘对所述晶圆的吸附力。


2.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述静电吸盘吸附所述晶圆的背面，所述光源位于所述静电吸盘的正面一侧，所述光源发射的光线使得所述晶圆内产生载流子。


3.根据权利要求2所述的半导体设备，其特征在于，所述光源的数量为单个或多个，所述光源正向或斜向照射晶圆的正面。


4.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述静电吸盘吸附所述晶圆的背面，所述光源位于所述静电吸盘的背面一侧，所述光源发射的光线使得所述晶圆内产生载流子。


5.根据权利要求4所述的半导体设备，其特征在于，所述光源的数量为单个或多个，所述光源正向或斜向照射晶圆的背面。


6.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述静电吸盘吸附所述晶圆的背面，所述光源位于所述静电吸盘的正面一侧及所述静电吸盘的背面一侧，所述光源发射的光线使得所述晶圆内产生载流子。


7.根据权利要求6所述的半导体设备，其特征在于，位于所述晶圆的正面一侧的所述光源的数量为单个或多个；位于所述晶圆的正面一侧的所述光源正向或斜向照射晶圆的正面，位于所述晶圆的背面一侧的所述光源的数量为单个或多个，位于所述晶圆的背面一侧的所述光源正向或斜向照射所述晶圆的正面。


8.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述光源包括：卤素灯、白炽灯、冷白光LED、暖白光LED及荧光灯中的至少一种。


9.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述半导体设备还包括冷却系统，所述冷却系统包括：
冷却气体源，用于提供冷却气体；
冷却气体管路，一端与所述冷却气体源相连接；
喷嘴，与所述冷却气体管路远离所述冷却气体源的一端相连接，用于向吸附于所述静电吸盘的所述晶圆喷射冷却气体以对所述晶圆进行冷却。


10.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体设备，其特征在于，所述半导体设备还包括腔室，所述静电吸盘及所述光源均位于所述腔室内。


1...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾超超，刘佑铭，
申请(专利权)人：芯恩青岛集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37