【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】带密封表面的静电卡盘通过引用并入PCT申请表作为本申请的一部分与本说明书同时提交。如在同时提交的PCT申请表中所标识的本申请要求享有其权益或优先权的每个申请均通过引用全文并入本文且用于所有目的。
技术介绍
在半导体处理操作期间，通常将衬底支撑在处理室内的基座上。
技术实现思路
本公开的系统、方法和设备每个都具有几个创新方面，其中没有一个单独地导致本文公开的期望属性。这些方面中至少包括以下实现方案，尽管进一步的实现方案可以在详细描述中阐述，或者从本文提供的讨论中显而易见。在一些实施方案中，提供了一种基座。所述基座可以包括主体，所述主体包括：上环形密封表面，其是平坦的，垂直于所述主体的竖直中心轴并且具有径向厚度；下凹部表面，其从所述上环形密封表面偏移第一距离；从所述下凹部表面突出的多个微接触区域(MCA)，每个MCA具有顶表面，该顶表面从所述下凹部表面偏移小于或等于第一距离的第二距离；和在所述主体内的一个或多个电极。所述上环形密封表面可以被配置成当半导体衬底被所述基座支撑时支撑所述半导体衬底的外边缘，所述上环形密封...
【技术保护点】
1.一种基座，其包括：/n主体，其包括：/n上环形密封表面，其是平坦的，垂直于所述主体的竖直中心轴并且具有径向厚度，/n下凹部表面，其从所述上环形密封表面偏移第一距离，/n从所述下凹部表面突出的多个微接触区域(MCA)，每个MCA具有顶表面，该顶表面从所述下凹部表面偏移小于或等于第一距离的第二距离；和/n在所述主体内的一个或多个电极，其中：/n所述上环形密封表面被配置成当半导体衬底被所述基座支撑时支撑所述半导体衬底的外边缘，/n所述上环形密封表面和所述MCA的所述顶表面被配置为在所述基座支撑所述半导体衬底时支撑所述半导体衬底，以及/n所述一个或多个电极被配置为与选自由以下项...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180404 US 62/652,5461.一种基座，其包括：
主体，其包括：
上环形密封表面，其是平坦的，垂直于所述主体的竖直中心轴并且具有径向厚度，
下凹部表面，其从所述上环形密封表面偏移第一距离，
从所述下凹部表面突出的多个微接触区域(MCA)，每个MCA具有顶表面，该顶表面从所述下凹部表面偏移小于或等于第一距离的第二距离；和
在所述主体内的一个或多个电极，其中：
所述上环形密封表面被配置成当半导体衬底被所述基座支撑时支撑所述半导体衬底的外边缘，
所述上环形密封表面和所述MCA的所述顶表面被配置为在所述基座支撑所述半导体衬底时支撑所述半导体衬底，以及
所述一个或多个电极被配置为与选自由以下项组成的群组中的一项或多项电连接：射频(RF)电源、电接地和直流(DC)电源。
2.根据权利要求1所述的基座，其中：
所述一个或多个电极是静电夹持电极，并且
所述一个或多个静电夹持电极被配置为当所述半导体衬底由所述基座支撑时并且当所述一个或多个静电夹持电极由所述DC电源供电时，在所述半导体衬底上提供静电夹持力。
3.根据权利要求2所述的基座，其中，当所述半导体衬底由所述基座支撑时并且当所述一个或多个静电夹持电极在所述半导体衬底上提供静电夹持力时，在所述上环形密封表面与所述半导体衬底之间形成密封。
4.根据权利要求1所述的基座，其中，所述一个或多个电极被配置为：
与所述RF电源电连接，以及
从所述RF电源接收RF功率。
5.根据权利要求1所述的基座，其中，所述上环形密封表面具有小于所述半导体衬底的所述半径的内半径和大于所述半导体衬底的所述半径的外半径。
6.根据权利要求1所述的基座，其中：
所述上环形密封表面和所述MCA的所述顶表面是共面的，并且
所述第一距离等于所述第二距离。
7.根据权利要求1所述的基座，其中，所述第一距离大于所述第二距离。
8.根据权利要求1所述的基座，其中，每个MCA是具有平坦的顶表面区域的圆柱体。
9.一种半导体处理系统，其包括：
处理室；
所述处理室中的一个或多个处理站；
在所述一个或多...
【专利技术属性】
技术研发人员：帕特里克·G·布莱琳，迈克尔·菲利普·罗伯茨，克洛伊·巴尔达赛罗尼，伊时塔克·卡里姆，阿德里安·拉沃伊，拉梅什·钱德拉塞卡拉，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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