晶片键合装置制造方法及图纸

提供一种晶片键合装置，该晶片键合装置包括：下支撑板，配置为在下支撑板的上表面上结构地支撑第一晶片；下结构，与下支撑板相邻并在垂直于下支撑板的上表面的垂直方向上可移动；上支撑板，配置为在上支撑板的下表面上结构地支撑第二晶片；以及上结构，与上支撑板相邻并在垂直方向上可移动。

【技术实现步骤摘要】
晶片键合装置
本专利技术构思涉及晶片键合装置。
技术介绍
用于将两个晶片彼此键合或接合的晶片键合工艺可以在制造工艺中执行以制造半导体器件。可以执行这样的晶片键合工艺以增大半导体器件中的芯片的安装密度。因此，基于半导体器件中的芯片的增大的安装密度，具有其中堆叠芯片的结构的半导体器件可以具有芯片之间的减小的布线长度，这对于高速信号处理可以是有益的。可以执行晶片键合工艺以用于将器件晶片键合到载体晶片，从而有助于器件晶片的操纵。当制造具有堆叠的芯片结构的半导体器件时，生产率可以通过以晶片为单位键合、然后以堆叠的芯片为单位分离而不是以芯片为单位键合来提高。晶片键合工艺可以以直接键合这两个晶片而没有单独的介质的方式执行。在这样的情况下，可以使用晶片键合装置来执行晶片键合工艺，该晶片键合装置装配有在其上设置并固定晶片的支撑板和用于挤压晶片的挤压器件(例如销)。
技术实现思路
本专利技术构思的方面提供一种能够键合晶片并同时防止缺陷发生的晶片键合装置。根据本专利技术构思的一些示例实施方式，一种晶片键合装置可以包括：下支本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶片键合装置，包括：/n下支撑板，配置为在所述下支撑板的上表面上结构地支撑第一晶片；/n与所述下支撑板相邻的下结构，所述下结构在垂直于所述下支撑板的所述上表面的垂直方向上可移动；/n上支撑板，配置为在所述上支撑板的下表面上结构地支撑第二晶片；以及/n与所述上支撑板相邻的上结构，所述上结构在所述垂直方向上可移动。/n

【技术特征摘要】
20190523 KR 10-2019-00605411.一种晶片键合装置，包括：
下支撑板，配置为在所述下支撑板的上表面上结构地支撑第一晶片；
与所述下支撑板相邻的下结构，所述下结构在垂直于所述下支撑板的所述上表面的垂直方向上可移动；
上支撑板，配置为在所述上支撑板的下表面上结构地支撑第二晶片；以及
与所述上支撑板相邻的上结构，所述上结构在所述垂直方向上可移动。


2.根据权利要求1所述的晶片键合装置，其中所述下结构配置为在所述第一晶片设置在所述下支撑板的所述上表面上之后在所述垂直方向上朝向所述上结构移动。


3.根据权利要求2所述的晶片键合装置，其中所述下结构配置为在所述垂直方向上朝向所述上结构移动，使得所述下结构的一个侧表面的至少一部分与所述第一晶片的一个侧表面接触。


4.根据权利要求2所述的晶片键合装置，其中所述下结构配置为在所述垂直方向上朝向所述上结构移动，从而使所述下结构的上表面与所述第一晶片的上表面共平面。


5.根据权利要求1所述的晶片键合装置，其中所述上结构配置为在所述第二晶片被附接到所述上支撑板的所述下表面之后在所述垂直方向上朝向所述下结构移动。


6.根据权利要求5所述的晶片键合装置，其中所述上结构配置为在所述垂直方向上朝向所述下结构移动，使得所述上结构的一个侧表面的至少一部分与所述第二晶片的一个侧表面接触。


7.根据权利要求5所述的晶片键合装置，其中所述上结构配置为在所述垂直方向上朝向所述下结构移动，从而使所述上结构的下表面与所述第二晶片的下表面共平面。


8.根据权利要求1所述的晶片键合装置，其中所述下结构配置为在完成了将所述第一晶片和所述第二晶片彼此键合之后在所述垂直方向上远离所述上结构移动。


9.根据权利要求1所述的晶片键合装置，其中所述上结构配置为在完成了将所述第一晶片和所述第二晶片彼此键合之后在所述垂直方向上远离所述下结构移动。


10.一种晶片键合装置，包括：
下支撑板，配置为在所述下支撑板的上表面上结构地支撑第一晶片；
与所述下支撑板相邻的下结构；
上支撑板，配置为在所述上支撑板的下表面上结构地支撑第二晶片；
与所述上支撑板相邻的上结构；以及
控制器，配置为调节所述下结构和所述上结构之间的间隔。


11.根据权利要求10所述的晶片键合装置，其中在基于使所述下支撑板和所述上支撑板中的至少一个在与所述下支撑板的所述上表面平...

【专利技术属性】
技术研发人员：金会哲，金石镐，金兑泳，罗勋奏，全炯俊，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR