半导体混合蚀刻装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术的半导体混合蚀刻装置可包括：平台；第一蚀刻单元，配置在所述平台内部，并且具有第一蚀刻腔室，所述第一蚀刻腔室对晶片执行第一蚀刻工艺；第二蚀刻单元，配置在所述平台内部，并且具有第二蚀刻腔室，所述第二蚀刻腔室对所述晶片执行第二蚀刻工艺，所述第二蚀刻工艺的蚀刻方式与所述第一蚀刻工艺不同；晶片运送工具，配置在形成在所述第一及第二蚀刻单元之间的晶片运送通道，并且使所述晶片在所述第一及第二蚀刻单元之间经过所述晶片运送通道来运送晶片。在所述第一及第二蚀刻单元中的一个单元中可对所述晶片执行清洗工艺。

【技术实现步骤摘要】
半导体混合蚀刻装置及方法
本专利技术涉及半导体蚀刻装置，更详细地说，涉及一种半导体混合蚀刻装置及方法，半导体混合蚀刻装置是在一个平台中结合干式蚀刻单元与湿式蚀刻单元，利用该半导体混合蚀刻装置可通过容易且简单的工艺蚀刻晶片的斜面区域。
技术介绍
在半导体晶片(wafer)上通过沉积薄膜及蚀刻工艺等的半导体制造工艺集成所需的固定电路图案等，以制作各种集成电路元件等。这种集成电路元件集成于半导体晶片的预定区域，例如元件形成区域。除了半导体晶片的元件形成区域以外，边缘区域是用于运送晶片而未另外形成元件或者电路图案的区域，可称为晶片斜面(bevel)区域。晶片斜面区域在晶片的边缘形成预定宽度，包括晶片的上面、包括侧面的倾斜面以及晶片背面。在半导体元件的制造工艺中薄膜沉积工艺是在晶片的整个面将所需薄膜沉积固定厚度，而薄膜蚀刻工艺是为了得到所需元件图案将形成在晶片的元件形成区域的薄膜作为目标进行的，因此在作为晶片边缘区域的斜面区域留有薄膜，处于未去除薄膜的状态。另外，当利用等离子体执行蚀刻工艺时，积聚如颗粒的工艺副产物。因此，如果在处于在晶片本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体混合蚀刻装置，包括：/n平台；/n第一蚀刻单元，配置在所述平台内部，并且具有第一蚀刻腔室，所述第一蚀刻腔室对晶片执行第一蚀刻工艺；/n第二蚀刻单元，配置在所述平台内部，并且具有第二蚀刻腔室，所述第二蚀刻腔室对所述晶片执行第二蚀刻工艺，所述第二蚀刻工艺的蚀刻方式与所述第一蚀刻工艺不同；/n晶片运送工具，配置在形成在所述第一及第二蚀刻单元之间的晶片运送通道，并且使所述晶片在所述第一及第二蚀刻单元之间经过所述晶片运送通道来运送晶片。/n

【技术特征摘要】
20190522 KR 10-2019-00598221.一种半导体混合蚀刻装置，包括：
平台；
第一蚀刻单元，配置在所述平台内部，并且具有第一蚀刻腔室，所述第一蚀刻腔室对晶片执行第一蚀刻工艺；
第二蚀刻单元，配置在所述平台内部，并且具有第二蚀刻腔室，所述第二蚀刻腔室对所述晶片执行第二蚀刻工艺，所述第二蚀刻工艺的蚀刻方式与所述第一蚀刻工艺不同；
晶片运送工具，配置在形成在所述第一及第二蚀刻单元之间的晶片运送通道，并且使所述晶片在所述第一及第二蚀刻单元之间经过所述晶片运送通道来运送晶片。


2.根据权利要求1所述的半导体混合蚀刻装置，其特征在于，
在所述第一及第二蚀刻单元中的一个单元中对所述晶片执行清洗工艺。


3.根据权利要求1或2所述的半导体混合蚀刻装置，其特征在于，
所述第一蚀刻单元是干式蚀刻单元，所述第二蚀刻单元是湿式蚀刻单元；
在所述第一蚀刻腔室中对所述晶片的斜面区域的前面执行干式蚀刻工艺，之后在所述第二蚀刻腔室中对所述晶片的所述斜面区域的背面或者所述晶片的背面执行湿式蚀刻工艺。


4.根据权利要求3所述的半导体混合蚀刻装置，其特征在于，
在执行所述湿式蚀刻工艺之后在所述第二蚀刻腔室中对所述晶片原位执行清洗工艺。


5.根据权利要求4所述的半导体混合蚀刻装置，其特征在于，
在执行所述第一蚀刻工艺之后，通过所述晶片运送工具将第一蚀刻腔室中的经过首次蚀刻的所述晶片经过所述晶片运送通道运送到所述第二蚀刻腔室。


6.根据权利要求1所述的半导体混合蚀刻装置，其特征在于，还包括：
至少一个的FOUP，排列在所述平台中，装载待工艺处理的所述晶片，其中待工艺处理的所述晶片通过所述晶片运送工具运送到所述第一蚀刻单元或者所述第二蚀刻单元；及
缓冲件，配置在所述平台中的所述FOUP与所述第一及第二蚀刻单...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹镛赫，
申请(专利权)人：GTI韩国有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR