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本发明的半导体混合蚀刻装置可包括：平台；第一蚀刻单元，配置在所述平台内部，并且具有第一蚀刻腔室，所述第一蚀刻腔室对晶片执行第一蚀刻工艺；第二蚀刻单元，配置在所述平台内部，并且具有第二蚀刻腔室，所述第二蚀刻腔室对所述晶片执行第二蚀刻工艺，所述...
该专利属于GTI韩国有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过GTI韩国有限公司授权不得商用。

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