一种利用铜磷中间合金制备铜磷合金的熔炼方法技术

本发明专利技术涉及一种利用铜磷中间合金制备铜磷合金的熔炼方法，所述熔炼方法包括：将铜原料在真空条件下熔化并进行第一静置，之后通入保护气体，然后加入铜磷中间合金，倾斜熔化装置，之后进行第二静置并浇铸。本发明专利技术提供的方法通过对铜磷中间合金加入的时机及条件的特定选择，同时在后续采用倾斜的方式，利用二者间的协同耦合作用解决了铜磷合金制备过程中磷的偏析问题，同时也改善了磷在铜磷铸锭中的均匀性，控制总的磷含量，提升铜磷阳极的品质，满足芯片生产要求。

【技术实现步骤摘要】
一种利用铜磷中间合金制备铜磷合金的熔炼方法
本专利技术涉及熔炼领域，具体涉及一种利用铜磷中间合金制备铜磷合金的熔炼方法。
技术介绍
目前，高纯4N(99.99％)铜磷合金(磷含量400-700ppm)是制造半导体用铜磷合金阳极的原材料，主要用于集成电路芯片布线，是高品质芯片生产中不可或缺的原材料。CN102268567A公开了一种铜磷合金的制备方法，针对现有的铜磷合金的制备方法所存在的生产过程复杂、能耗高、污染环境的缺陷，提供一种工艺简单、产品成分均匀、能耗低、生产过程无污染的铜磷合金的制备方法。制备铜磷合金包括以下步骤：称出赤磷和纯铜；将称出的赤磷放入坩埚中；在赤磷上铺一层隔层材料，在隔层材料上插入纯铜棒；将称出的纯铜放入坩埚中，进行加热熔炼，待赤磷完全反应后用棒子捣破隔层材料，待隔层材料浮起后从熔体中去除，继续熔炼至合金成份均匀后停止熔炼，在熔炼过程中加入覆盖剂；将熔炼好的合金熔液表面的覆盖剂及剩余的隔层材料去除，合金熔液经出坩埚、冷却后即得到铜磷合金产品。CN106381410A公开了一种集成电路用磷铜阳极的制备方法和熔炼本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种利用铜磷中间合金制备铜磷合金的熔炼方法，其特征在于，所述熔炼方法包括：将铜原料在真空条件下熔化并进行第一静置，之后通入保护气体，然后加入铜磷中间合金，倾斜熔化装置，之后进行第二静置并浇铸。/n

【技术特征摘要】
1.一种利用铜磷中间合金制备铜磷合金的熔炼方法，其特征在于，所述熔炼方法包括：将铜原料在真空条件下熔化并进行第一静置，之后通入保护气体，然后加入铜磷中间合金，倾斜熔化装置，之后进行第二静置并浇铸。


2.如权利要求1所述的熔炼方法，其特征在于，所述熔化在真空度P为0.005Pa≤P≤0.015Pa下进行。


3.如权利要求1或2所述的熔炼方法，其特征在于，所述第一静置的时间为20-40min。


4.如权利要求1-3任一项所述的熔炼方法，其特征在于，所述保护气体包括氮气和/或惰性气体。


5.如权利要求1-4任一项所述的熔炼方法，其特征在于，所述保护气体的通入终点为熔化装置中的表压PT为-0.07MPa≤PT≤-0.04MPa。


6.如权利要求1-5任一项所述的熔炼方法，其特征在于，所述铜...

【专利技术属性】
技术研发人员：易骛文，姚力军，潘杰，孙银祥，
申请(专利权)人：宁波微泰真空技术有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33