一种单晶炉制造技术

本实用新型专利技术公开一种单晶炉，其包括导流热屏、套设于导流热屏外的保温件、环设于两者之间的间隔件，导流热屏为两端开口的筒状结构，其进气端包括向保温件翻折形成的环形上檐，环形上檐包括设于其外侧面的环形倒阶梯结构；保温件包括设于其内侧面的环形阶梯结构；间隔件包括与环形阶梯结构贴合的第一配合面以及与环形倒阶梯结构配合的第二配合面，该单晶炉通过优化导流热屏及保温件的结构，构造成相对设置的环形阶梯结构以及环形倒阶梯结构，并在两者之间设置与两者均配接的间隔件，如此可避免导流热屏与保温件之间形成缝隙而造成热量损失，从而降低维持单晶炉内硅液熔融状态时的功率及能耗，同时通过设置间隔件可为导流热屏提供定位、导向作用。

【技术实现步骤摘要】
一种单晶炉
本技术涉及单晶炉
，特别涉及一种单晶炉。
技术介绍
单晶炉是一种在惰性气体(氮气、氦气为主)环境中，用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生长无错位单晶的设备。单晶直径在生长过程中，温度主要决定能否成晶。温度分布合适的热场，不仅单晶生长顺利，而且品质较高；如果热场的温度分布不是很合理，生长单晶的过程中容易产生各种缺陷，影响质量，情况严重的出现变晶现象生长不出来单晶。现有的大部分单晶炉中，导流热屏与上保温毡采用并列型接触结构，两者之间形成的一定尺寸的缝隙，从而在单晶生长过程中，容易导致大量热能从缝隙中辐射出去，不仅使单晶生长炉内温度分布不均，还将导致单晶炉功率升高，耗能增大。并且，保温毡多采用碳素纤维材质制成，当保温毡与导流热屏接触或产生摩擦时，碳素纤维颗粒易脱落落入单晶炉内，影响晶体生长，从而影响产能。
技术实现思路
为了解决现有技术的问题，本技术提供了一种单晶炉，其能有效防止单晶炉工作时的热量损失。为解决上述技术问题，本技术提出如下技术方案：一种单晶炉，其包括导流热屏、套设于所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单晶炉，其特征在于，其包括导流热屏、套设于所述导流热屏外的保温件、环设于所述导流热屏及保温件之间的间隔件，其中：/n所述导流热屏为两端开口的筒状结构，其包括设于其一端的进气端以及设于其另一端的出气端，所述进气端包括向所述保温件翻折形成的环形上檐，所述环形上檐包括设于其外侧面的环形倒阶梯结构；/n所述保温件包括设于其内侧面的环形阶梯结构；/n所述间隔件包括与所述环形阶梯结构贴合的第一配合面以及与所述环形倒阶梯结构配合的第二配合面。/n

【技术特征摘要】
1.一种单晶炉，其特征在于，其包括导流热屏、套设于所述导流热屏外的保温件、环设于所述导流热屏及保温件之间的间隔件，其中：
所述导流热屏为两端开口的筒状结构，其包括设于其一端的进气端以及设于其另一端的出气端，所述进气端包括向所述保温件翻折形成的环形上檐，所述环形上檐包括设于其外侧面的环形倒阶梯结构；
所述保温件包括设于其内侧面的环形阶梯结构；
所述间隔件包括与所述环形阶梯结构贴合的第一配合面以及与所述环形倒阶梯结构配合的第二配合面。


2.根据权利要求1所述的单晶炉，其特征在于，所述环形阶梯结构的最小直径小于所述环形倒阶梯结构的最大直径。


3.根据权利要求1所述的单晶炉，其特征在于，所述导流热屏包括由外向内依次设置的外导流筒、内导流筒以及设于所述外导流筒与内导流筒配合形成的密封腔体内的保温毡，且所述外导流筒、保温毡及内导流筒的上端均外翻以形成所述环形上檐。


4.根据权利要求3所述的单晶炉，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩庆辉，刘国勇，陈越勇，
申请(专利权)人：晶澳太阳能越南有限公司，
类型：新型
国别省市：越南;VN