【技术实现步骤摘要】
单晶生长加热装置
本技术涉及半导体制造设备领域，特别是涉及一种单晶生长加热装置。
技术介绍
一般介质在超临界状态下，粘度低、比液体更容易扩散，但具有和液体同样的溶剂化能力，而亚临界状态是指在临界温度附近，具有和临界密度基本相同的密度的液体状态。氨热法是在超临界环境中生长GaN单晶的一种方法，在氨热法生长GaN单晶的装置中，设有原料区和结晶区，通过加热，使原料区处于超临界状态下，将原料溶解；使结晶区处于亚临界状态，利用超临界状态和亚临界状态的溶解度差进行结晶生长。现有氨热法生长GaN单晶的装置技术中，周围温度的变化对于装置内温度有一定影响，不利于温度准确控制。
技术实现思路
基于此，针对上述问题，本技术提供一种单晶生长加热装置。本技术提供一种单晶生长加热装置，包括：容器，所述容器包括第一区和位于所述第一区下方的第二区；加热部件，位于所述容器外侧，所述加热部件包括彼此温度能独立控制的第一加热单元和第二加热单元，所述第一加热单元位于第一区外围，所述第二加热单元位于第二区外围，所述第一加热单元和所述第二加热单...
【技术保护点】
1.一种单晶生长加热装置，其特征在于，包括：/n容器，所述容器包括第一区和位于所述第一区下方的第二区；/n加热部件，位于所述容器外侧，所述加热部件包括彼此温度能独立控制的第一加热单元和第二加热单元，所述第一加热单元位于第一区外围，所述第二加热单元位于第二区外围，所述第一加热单元和所述第二加热单元之间具有间距；/n恒温层，位于所述容器外侧且通过所述加热部件和绝热层与所述容器相隔离。/n
【技术特征摘要】
1.一种单晶生长加热装置，其特征在于，包括：
容器，所述容器包括第一区和位于所述第一区下方的第二区；
加热部件，位于所述容器外侧，所述加热部件包括彼此温度能独立控制的第一加热单元和第二加热单元，所述第一加热单元位于第一区外围，所述第二加热单元位于第二区外围，所述第一加热单元和所述第二加热单元之间具有间距；
恒温层，位于所述容器外侧且通过所述加热部件和绝热层与所述容器相隔离。
2.根据权利要求1所述的单晶生长加热装置，其特征在于，所述容器包括高压釜，所述高压釜是用于氨热法生长氮化镓单晶的容器。
3.根据权利要求1所述的单晶生长加热装置，其特征在于，所述加热部件和所述绝热层一起包覆所述容器，所述绝热层包括顶部绝热层、上部绝热层、中部绝热层、下部绝热层、底部绝热层，所述顶部绝热层位于所述容器的顶部，所述上部绝热层位于所述第一区处外侧，所述中部绝热层位于所述第一加热单元和所述第二加热单元之间，所述下部绝热层位于所述第二区外侧，所述底部绝热层位于所述容器底部。
4....
【专利技术属性】
技术研发人员：乔焜，张新建，林岳明，高明哲，
申请(专利权)人：上海玺唐半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31
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