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本实用新型涉及一种单晶生长加热装置，包括：容器，容器包括第一区和位于第一区下方的第二区；加热部件，位于容器外侧，加热部件包括彼此温度能独立控制的第一加热单元和第二加热单元，第一加热单元位于第一区外围，第二加热单元位于第二区外围，第一加热单元...
该专利属于上海玺唐半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海玺唐半导体科技有限公司授权不得商用。

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