一种简易的零温漂电流偏置电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种简易的零温漂电流偏置电路，包括电阻R1、电阻R2、三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、MOS管N1、MOS管N2和MOS管N3，所述电阻R1的一端连接电阻R2、三极管Q2的发射极和电源VCC，电阻R1的另一端连接三极管Q1的发射极，电阻R2的另一端连接三极管Q5的发射极，本实用新型专利技术的有益效果是：电路结构简单，性能参数稳定可靠；产生的偏置电流将不再受生产工艺的波动而影响，且产生的偏置电流受温度变化影响小，在‑40℃～120℃的温度范围内变化量仅为1.4％左右；电路所需器件少，芯片版图面积可以减小80％以上。

【技术实现步骤摘要】
一种简易的零温漂电流偏置电路
本技术涉及集成电路领域，具体是一种简易的零温漂电流偏置电路。
技术介绍
在集成电路设计领域中，各种功能的集成电路几乎都离不开电流偏置电路。在某些应用中需要用到零温漂的电流偏置电路，即电流偏置的大小不随温度的变化而显著改变。通常的零温漂电流偏置产生方式如图1和图2所示，首先通过图1的带隙基准电路产生不受温度影响的基准电压Vref。然后通过图2电路产生零温漂电流偏置，图2中的RA和RB为不同材质的电阻，RA为正温度特性的电阻(即当温度升高时RA的阻值将变大)，RB为负温度特性的电阻(即当温度升高时RB的阻值将变小)，恰当地选择RA和RB的阻值，可以使它们的正负温漂相互抵消。又因Vref不受温度影响，所以我们将得到不受温度影响的偏置电流Io。但是该电路存在一个严重问题：因RA和RB是不同材质的电阻，所以它们受工艺波动的影响是不同的。在某一工艺条件下匹配好RA和RB的阻值使其温漂为0，当工艺条件发生波动时，RA和RB的阻值都会发生变化，此时温漂有可能不再是零。同时，该电路结构复杂，所需器件多，应用成本高。<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种简易的零温漂电流偏置电路，包括电阻R1、电阻R2、三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、MOS管N1、MOS管N2和MOS管N3，其特征在于，所述电阻R1的一端连接电阻R2、三极管Q2的发射极和电源VCC，电阻R1的另一端连接三极管Q1的发射极，电阻R2的另一端连接三极管Q5的发射极，三极管Q1的集电极连接三极管Q2的基极和三极管Q4的发射极，三极管Q2的集电极连接三极管Q3的发射极和三极管Q1的基极，三极管Q4的基极连接三极管Q3的基极、三极管Q5的基极和MOS管N2的漏极，三极管Q4的集电极连接三极管Q5的集电极、MOS管N1的漏极、MOS管N1的栅极、MOS管N2的栅极和MOS管N...

【技术特征摘要】
1.一种简易的零温漂电流偏置电路，包括电阻R1、电阻R2、三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、MOS管N1、MOS管N2和MOS管N3，其特征在于，所述电阻R1的一端连接电阻R2、三极管Q2的发射极和电源VCC，电阻R1的另一端连接三极管Q1的发射极，电阻R2的另一端连接三极管Q5的发射极，三极管Q1的集电极连接三极管Q2的基极和三极管Q4的发射极，三极管Q2的集电极连接三极管Q3的发射极和三极管Q1的基极，三极管Q4的基极连接三极管Q3的基极、三极管Q5的基极和MOS管N2的漏极，三极管Q4的集电极连接三极管Q5的集电极、MOS管N1的漏极、MOS管N1的栅极、MOS管N2的栅极和MOS管N3的栅极，MOS管N1的源极连接MOS管N2的...

【专利技术属性】
技术研发人员：周奕彤，万志兵，
申请(专利权)人：深圳市周励电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44