一种负反馈分段曲率补偿带隙基准电路制造技术

本发明专利技术请求保护一种负反馈分段曲率补偿带隙基准电路，包括启动电路、中温区域负反馈补偿电路、一阶带隙基准电路及高温区域负反馈补偿电路。本发明专利技术采用中温区域负反馈补偿电路与高温区域负反馈补偿电路分别与一阶带隙基准电路构成负反馈环路，提高带隙基准电路的稳定性，利用中温区域负反馈补偿电路中PMOS管M11的电流在电阻R5及电阻R6上产生电压V

【技术实现步骤摘要】
一种负反馈分段曲率补偿带隙基准电路
本专利技术属于微电子
，具体涉及一种负反馈分段曲率补偿带隙基准电路。
技术介绍
带隙基准电路是模拟集成电路系统中的重要模块，在高精度A/D和D/A转换器、存储器以及开关电源等领域被广泛应用；随着模拟集成电路系统的发展，其对内部的带隙基准电压源的性能要求越来越高。图1为一种传统的CMOS带隙基准电路结构，其基本思路是利用电阻R2的电压具有正温度特性以及PNP型三极管Q3的发射极-基极电压具有负温度特性来获得高性能的参考电压。图1中，电阻R1以及电阻R2采用相同材料，PMOS管M1与PMOS管M2具有相同的沟道宽长比，PNP型三极管Q2发射极面积是PNP型三极管Q1发射极面积的N倍，放大器A1的低频增益Ad有Ad>>1，则PMOS管M2的漏极电流I2有I2＝(kTlnN)/(qR1)，其中，q是电子电荷量，k是玻尔兹曼常数，T是绝对温度，R1为电阻R1的阻值；PMOS管M3与PMOS管M2具有相同的沟道宽长比，则带隙基准电路的输出电压VREF为其中，VEB3是PNP型三极管Q3的发射极-本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种负反馈分段曲率补偿带隙基准电路，其特征在于，包括：启动电路(1)、中温区域负反馈补偿电路(2)、一阶带隙基准电路(3)及高温区域负反馈补偿电路(4)，其中，所述一阶带隙基准电路(3)的信号输出端分别接所述启动电路(1)、所述中温区域负反馈补偿电路(2)以及所述高温区域负反馈补偿电路(4)的信号输入端，所述中温区域负反馈补偿电路(2)以及所述高温区域负反馈补偿电路(4)的电信号输出端分别接所述一阶带隙基准电路(3)的电信号输入端，所述启动电路(1)的信号输出端接所述一阶带隙基准电路(3)的启动信号输入端；所述一阶带隙基准电路(3)产生一阶带隙基准参考电压，所述中温区域负反馈补偿电路(2)...

【技术特征摘要】
1.一种负反馈分段曲率补偿带隙基准电路，其特征在于，包括：启动电路(1)、中温区域负反馈补偿电路(2)、一阶带隙基准电路(3)及高温区域负反馈补偿电路(4)，其中，所述一阶带隙基准电路(3)的信号输出端分别接所述启动电路(1)、所述中温区域负反馈补偿电路(2)以及所述高温区域负反馈补偿电路(4)的信号输入端，所述中温区域负反馈补偿电路(2)以及所述高温区域负反馈补偿电路(4)的电信号输出端分别接所述一阶带隙基准电路(3)的电信号输入端，所述启动电路(1)的信号输出端接所述一阶带隙基准电路(3)的启动信号输入端；所述一阶带隙基准电路(3)产生一阶带隙基准参考电压，所述中温区域负反馈补偿电路(2)以及所述高温区域负反馈补偿电路(4)分别与所述一阶带隙基准电路(3)形成负反馈环路，所述中温区域负反馈补偿电路(2)的PMOS管M11的电流在电阻R5及电阻R6上产生电压VNL1，以及所述高温区域负反馈补偿电路(4)的PMOS管M16的电流在电阻R6上产生电压VNL2，电压VNL1和电压VNL2分别对所述一阶带隙基准电路(3)所产生的一阶带隙基准参考电压进行补偿，所述启动电路(1)为所述一阶带隙基准电路(3)提供启动信号。


2.根据权利要求1所述的一种负反馈分段曲率补偿带隙基准电路，其特征在于，所述启动电路(1)包括：PMOS管M1、NMOS管M2以及NMOS管M3，其中PMOS管M1的源极分别与NMOS管M3的漏极以及外部电源VDD相连，PMOS管M1的漏极分别与NMOS管M3的栅极以及NMOS管M2的漏极相连，NMOS管M2的源极与外部地GND相连。


3.根据权利要求1所述的一种负反馈分段曲率补偿带隙基准电路，其特征在于，所述一阶带隙基准电路(3)包括：PMOS管M12、PMOS管M13、NMOS管M14、NPN三极管Q1、NPN三极管Q2、NPN三极管Q3、NPN三极管Q4、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6以及放大器A1，其中PMOS管M12的源极分别与PMOS管M13的源极以及外部电源VDD相连，PMOS管M12的栅极分别与PMOS管M13的栅极、放大器A1的输出端、PMOS管M10的栅极以及PMOS管M15的栅极相连，PMOS管M12的漏极分别与放大器A1的反相输入端、PMOS管M1的栅极、NMOS管M3的源极、NPN三极管Q1的集电极、NPN三极管Q1的基极以及NPN三极管Q3的基极相连，NPN三极管Q1的发射极分别与NPN三极管Q2的集电极以及NPN三极管Q4的基极相连，PMOS管M13的漏极分别与放大器A1的同相输入端、NPN三极管Q3的集电极以及NMOS管M14的栅极相连，NPN三极管Q3的发射极分别与NMOS管M9的栅极、PMOS管M11的栅极、PMOS管M16的栅极、NMOS管M18的栅极、NPN型三极管Q4的集电极、NPN三极管Q2的基极、NMOS管M2的栅极以及带隙基准输出端Vbg相连，NPN三极管Q4的发射极与电阻R3的一端相连，电阻R3的另一端分别与NPN三极管Q2的发射极以及电阻R4的一端相连，电阻R4的另一端分别与PMOS管M11的漏极以及电阻R5的一端相连，电阻R5的另一端分别与PMOS管M16的漏极以及电阻R6的一端相连，电阻R6的另一端分别与NMOS管M14的源极、NMOS管M14的漏极以及外部地GND相连。


4.根据权利要求1所述的一种负反馈分段曲率补偿带隙基准电路，其特征在于，所述中温区域负反馈补偿电路(2)包括：NMOS管M4、NMOS管M5、PMOS管M6、NMOS管M7、PMOS管M8、NMOS管M9、PMOS管M10、PMOS管M11、电阻R1以及电阻R2，其中PMOS管M6的源极分别与PMOS管M8的源极、PMOS管M10的源极以及外部电源VDD相连，PMOS管M6的栅极分别与PMOS管M8的栅极、PMOS管M8的漏极以及NMOS管M9的漏极相连，PMOS管M6的漏极分别与NMOS管M7的漏极、NMOS管M4的栅极以及NMOS管M5的栅极相连，NMOS管M7的栅极分别与NMOS管M4的源极以及电阻R1的一端相连，电阻R1的另一端分别与NMOS管M5的源极、NMOS管M5的漏极、电阻R2的一端以及外部地GND相连，电阻R2的另一端分别与NMOS管M7的源极以及NMOS管M9的源极相连，PMOS管M10的漏极分别与NMOS管M4的漏极以及PMOS管M11的源极相连。


5.根据权利要求1所述的一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：周前能，李文鸽，李红娟，王元发，
申请(专利权)人：重庆邮电大学，
类型：发明
国别省市：重庆;50