【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】带有绝缘性粒子的导电性粒子、带有绝缘性粒子的导电粒子的制造方法、导电材料以及连接结构体
本专利技术涉及一种在导电性粒子的表面配置有绝缘性粒子的带有绝缘性粒子的导电性粒子、以及带有绝缘性粒子的导电性粒子的制造方法。另外，本专利技术涉及一种使用所述带有绝缘性粒子的导电性粒子的导电材料以及连接结构体。
技术介绍
各向异性导电糊剂以及各向异性导电膜等的各向异性导电材料广泛地为人所知。在该各向异性导电材料中，在粘合剂树脂中分散有导电性粒子。另外，作为导电性粒子，有时使用在导电层的表面进行了绝缘处理的导电性粒子。所述各向异性导电材料用于得到各种连接结构体。作为使用所述各向异性导电材料的连接，例如可列举：挠性印刷基板与玻璃基板的连接(FOG(FilmOnGlass，镀膜玻璃))、半导体芯片与挠性印刷基板的连接(COF(ChipOnFilm，薄膜覆晶))、半导体芯片与玻璃基板的连接(COG(ChipOnGlass，玻璃覆晶))、以及挠性印刷基板与玻璃环氧基板的连接(FOB(FilmOnBOard，镀膜板))等。另外，...
【技术保护点】
1.一种带有绝缘性粒子的导电性粒子，其具备：/n导电性粒子，其至少在表面具有导电部，以及/n多个绝缘性粒子，其配置于所述导电性粒子的表面上，/n所述绝缘性粒子具有：绝缘性粒子主体，以及由聚合性化合物形成的包覆部，所述包覆部覆盖所述绝缘性粒子主体的表面的至少一部分，/n所述聚合性化合物包含：具有第一官能团的化合物，以及具有与所述第一官能团不同的第二官能团的化合物，/n所述包覆部具有所述第一官能团及所述第二官能团。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180404 JP 2018-0725191.一种带有绝缘性粒子的导电性粒子，其具备：
导电性粒子，其至少在表面具有导电部，以及
多个绝缘性粒子，其配置于所述导电性粒子的表面上，
所述绝缘性粒子具有：绝缘性粒子主体，以及由聚合性化合物形成的包覆部，所述包覆部覆盖所述绝缘性粒子主体的表面的至少一部分，
所述聚合性化合物包含：具有第一官能团的化合物，以及具有与所述第一官能团不同的第二官能团的化合物，
所述包覆部具有所述第一官能团及所述第二官能团。
2.根据权利要求1所述的带有绝缘性粒子的导电性粒子，其中，所述聚合性化合物不包含交联剂，或者在所述聚合性化合物100重量％中包含10重量％以下的交联剂。
3.根据权利要求1或2所述的带有绝缘性粒子的导电性粒子，其中，所述第一官能团与所述第二官能团具有可通过刺激发生反应的性质。
4.根据权利要求3所述的带有绝缘性粒子的导电性粒子，其中，所述刺激为加热或光的照射。
5.一种带有绝缘性粒子的导电性粒子，其具备：
导电性粒子，其至少在表面具有导电部，以及
多个绝缘性粒子，其配置于所述导电性粒子的表面上，
所述绝缘性粒子具有绝缘性粒子主体，以及由聚合性化合物形成的包覆部，所述包覆部覆盖所述绝缘性粒子主体的表面的至少一部分，
所述聚合性化合物包含：具有第一官能团的化合物，以及具有与所述第一官能团不同的第二官能团的化合物，
所述包覆部包含所述第一官能团与所述第二官能团发生反应而得到的结构。
6.根据权利要求5所述的带有绝缘性粒子的导电性粒子，其中，所述聚合性化合物不包含交联剂，或者在所述聚合性化合物100重量％中包含10重量％以下的交联剂。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的带有绝缘性粒子的导电性粒子，其中，根据下述式(1)求出的所述包覆部的交联度为10以上，
交联度＝A×[(B/D)×100]+[(C/D)×100]式(1)
所述式(1)中，A为交联剂的聚合性官能团数，B为交联剂的摩尔数，C为所述具有第一官能团的化合物及所述具有第二官能团的化合物的合计摩尔数，D为所述聚合性化合物的合计摩尔数。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的带有绝缘性粒子的导电性粒子，其中，所述绝缘性粒子主体为无机粒子或有机无机杂化粒子。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的带有绝缘性粒子的导电性粒子，其中，所述第一官能团为环状...
【专利技术属性】
技术研发人员：杉本理，
申请(专利权)人：积水化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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