一种高压驱动集成电路及智能功率模块制造技术

本申请提供一种高压驱动集成电路及智能功率模块，包括：一HVIC芯片；一逆变器单元，逆变器单元包括至少两组逆变模块，每组逆变模块包括一LIGBT晶体管和一Sense‑LIGBT晶体管，LIGBT晶体管的基极和Sense‑LIGBT晶体管的基极均与HVIC芯片相连，LIGBT晶体管的集电极与高压输入端连接，LIGBT晶体管的发射极与Sense‑LIGBT晶体管的集电极连接，Sense‑LIGBT晶体管的发射极包括主发射极和次发射极，主发射极与接地端连接；一电流采样单元，电流采样单元包括至少两个采样电阻，采样电阻一端分别与Sense‑LIGBT晶体管的次发射极和HVIC芯片连接，另一端连接于接地端。

【技术实现步骤摘要】
一种高压驱动集成电路及智能功率模块
本申请涉及电路领域，具体涉及一种高压驱动集成电路及智能功率模块。
技术介绍
在现有技术中，电机驱动电路一般是通过采集流过驱动电路的总电流，并判断总电流是否超过设定阈值来进行驱动电路的保护。由于流过驱动电路的总电流较大，因此通常需要连接毫欧级别的采样电阻RS来完成电流保护。但毫欧级别的采样电阻RS的寄生电感较大，大电流流过时会产生尖峰，容易造成误触发使电路停止工作。因此，现有技术存在缺陷，急需改进。
技术实现思路
本申请实施例的目的在于提供一种高压驱动集成电路及智能功率模块，解决现有的驱动电路只能采用毫欧级别的采样电阻来完成电流保护，容易造成误触发使电路停止工作的问题，可以降低驱动电路的寄生效应。本申请实施例提供了一种高压驱动集成电路，包括：一HVIC芯片；一逆变器单元，所述逆变器单元包括至少两组逆变模块，每组逆变模块包括一LIGBT晶体管和一Sense-LIGBT晶体管，其中，所述LIGBT晶体管的基极和所述Sense-LIGBT晶体管的基极均与所述HVIC本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高压驱动集成电路，其特征在于，包括：/n一HVIC芯片；/n一逆变器单元，所述逆变器单元包括至少两组逆变模块，每组逆变模块包括一LIGBT晶体管和一Sense-LIGBT晶体管，其中，所述LIGBT晶体管的基极和所述Sense-LIGBT晶体管的基极均与所述HVIC芯片相连，所述LIGBT晶体管的集电极与高压输入端连接，所述LIGBT晶体管的发射极与所述Sense-LIGBT晶体管的集电极连接，所述Sense-LIGBT晶体管的发射极包括主发射极和次发射极，所述主发射极与接地端连接；/n一电流采样单元，所述电流采样单元包括至少两个采样电阻，所述采样电阻一端分别与所述Sense-LIGB...

【技术特征摘要】
1.一种高压驱动集成电路，其特征在于，包括：
一HVIC芯片；
一逆变器单元，所述逆变器单元包括至少两组逆变模块，每组逆变模块包括一LIGBT晶体管和一Sense-LIGBT晶体管，其中，所述LIGBT晶体管的基极和所述Sense-LIGBT晶体管的基极均与所述HVIC芯片相连，所述LIGBT晶体管的集电极与高压输入端连接，所述LIGBT晶体管的发射极与所述Sense-LIGBT晶体管的集电极连接，所述Sense-LIGBT晶体管的发射极包括主发射极和次发射极，所述主发射极与接地端连接；
一电流采样单元，所述电流采样单元包括至少两个采样电阻，所述采样电阻一端分别与所述Sense-LIGBT晶体管的次发射极和所述HVIC芯片连接，另一端连接于接地端。


2.根据权利要求1所述的高压驱动集成电路，其特征在于，所述Sense-LIGBT晶体管由N个LIGBT单胞构成，所述N为大于2的自然数；
其中M个所述LIGBT单胞的发射极引出作为所述Sense-LIGBT晶体管的次发射极，所述M为小于N的自然数；（N-M）个的所述LIGBT单胞的发射极共同引出作为所述Sense-LIGBT晶体管的主发射极；
N个所述LIGBT单胞的集电极共同引出作为所述Sense-LIGBT晶体管的集电极，N个所述LIGBT单胞的基极共同引出作为所述Sense-LIGBT晶体管的基极。


3.根据权利要求1所述的高压驱动集成电路，其特征在于，所述HVIC芯片内设置有过流保护电路和逻辑处理电路，所述过流保护电路与逻辑处理电路连接；
所述HVIC芯片上设有至少两个ITRIP端口，所述采样电阻通过ITRIP端口与所述过流保护电路连接，所述过流保护电路用于识别所述高压驱动集成电路的每相电流的状况，对每相电流的过流保护点进行调整。


4.根据权利要求3所述的高压驱动集...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯锴雄，杨忠添，
申请(专利权)人：广东汇芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44