一种多像素超小电容X射线探测单元及探测器制造技术

本发明专利技术公开了一种多像素超小电容X射线探测单元及探测器，多像素超小电容X射线探测单元，包括n型硅基体，其顶面设有P+阴极，底面设有n+阳极；n型硅基体的顶面设有第一二氧化硅矩形框，第一二氧化硅矩形框内设有第二二氧化硅矩形框，两者间形成第一P+重掺杂离子注入区，第二二氧化硅矩形框内形成第二P+重掺杂离子注入区，第二二氧化硅矩形框上形成连通第一P+重掺杂离子注入区和第二P+重掺杂离子注入区形成P+阴极的缺口，缺口为第三P+重掺杂离子注入区，第二P+重掺杂离子注入区上镀设有阴极铝层。一种多像素超小电容X射线探测器，由多个上述所述的多像素超小电容x射线探测单元呈阵列分布组成，电极面积和电容值小。

【技术实现步骤摘要】
一种多像素超小电容X射线探测单元及探测器
本专利技术属于X射线探测器
，涉及一种多像素超小电容X射线探测单元及探测器。
技术介绍
探测器的种类很多，主要有正比计数器、闪烁体探测器、气体探测器、半导体探测器等，各种探测器的探测原理不同。像素探测器在高能物理、航空航天及脉冲星导航等领域具有广泛应用。硅像素探测器是新型半导体探测器中的一种，可通过不同形状的像素单元阵列获得大面积的硅像素探测器。传统的硅像素探测器阳极、阴极均被金属电极即铝层覆盖，较大的有效电极面积使得探测器的收集电容较大。电容在硅探测器中是一个敏感因素，其直接影响到探测器工作的噪声与串扰，收集电容较大导致探测器工作的噪声较大。信噪比(S/N)是高性能探测器的一个关键参数，降低探测器噪声一直是探测器发展的主要任务之一。设计合理的电极形状不仅能大大的降低探测器的有效电极面积，从而得到超小的探测器收集电容，同时也获得均匀的电势、电场分布，以保证探测器全耗尽。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的在于提供一种多像素超小电容X射线探测单元及探测器，以解决传统的硅像素探测本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多像素超小电容X射线探测单元，其特征在于，包括n型硅基体(2)，n型硅基体(2)的顶面设有P+阴极(1)，n型硅基体(2)的底面设有n+阳极(3)；/n所述n型硅基体(2)的顶面设置有第一二氧化硅矩形框(4)，第一二氧化硅矩形框(4)内设置有第二二氧化硅矩形框(5)，第一二氧化硅矩形框(4)和第二二氧化硅矩形框(5)之间通过刻蚀、离子注入形成有第一P+重掺杂离子注入区(6)，第二二氧化硅矩形框(5)内通过刻蚀、离子注入形成有第二P+重掺杂离子注入区(7)，第二二氧化硅矩形框(5)上通过刻蚀、离子注入形成有缺口(8)，缺口(8)为第三P+重掺杂离子注入区，缺口(8)连通第一P+重掺杂离子...

【技术特征摘要】
1.一种多像素超小电容X射线探测单元，其特征在于，包括n型硅基体(2)，n型硅基体(2)的顶面设有P+阴极(1)，n型硅基体(2)的底面设有n+阳极(3)；
所述n型硅基体(2)的顶面设置有第一二氧化硅矩形框(4)，第一二氧化硅矩形框(4)内设置有第二二氧化硅矩形框(5)，第一二氧化硅矩形框(4)和第二二氧化硅矩形框(5)之间通过刻蚀、离子注入形成有第一P+重掺杂离子注入区(6)，第二二氧化硅矩形框(5)内通过刻蚀、离子注入形成有第二P+重掺杂离子注入区(7)，第二二氧化硅矩形框(5)上通过刻蚀、离子注入形成有缺口(8)，缺口(8)为第三P+重掺杂离子注入区，缺口(8)连通第一P+重掺杂离子注入区(6)和第二P+重掺杂离子注入区(7)形成P+阴极(1)，第二P+重掺杂离子注入区(7)上镀设有阴极...

【专利技术属性】
技术研发人员：李正，唐立鹏，
申请(专利权)人：湖南正芯微电子探测器有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南;43