承载装置和工艺腔室制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种承载装置和工艺腔室，包括可旋转的承载盘和旋转升降机构，旋转升降机构包括多个旋转轴、升降驱动装置和旋转驱动装置，承载盘上设置有沿其周向均匀分布的多个用于承载晶片的第一工位；各个第一工位的中心设置有沿承载盘的厚度贯通的第一通孔；旋转轴与第一通孔的数量相同并一一对应，且能够穿过与其对应的第一通孔，旋转轴的顶端具有用于承载晶片的承载面；升降驱动装置用于驱动所有旋转轴同步上升或下降，使旋转轴的顶端高于或低于第一工位所在平面；旋转驱动装置用于驱动所有旋转轴同步自转第一预设角度。本发明专利技术提供的承载装置和工艺腔室，能够降低晶片整体沉积速率的差异，降低晶片整体成膜厚度的差异，提高晶片表面的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
承载装置和工艺腔室
本专利技术涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种承载装置和工艺腔室。
技术介绍
目前，在半导体加工工艺的晶片取放过程中，通常是通过增加单次工艺的晶片放置量或者采用多站流动式取放片模式，分步沉积，以提高半导体加工设备的产能。但是，单次大量放置晶片模式仅适用于对晶片间均匀性要求不高的工况，且需要人工取放晶片，自动化程度不高；而多站流动式取放片模式，则可以适用于对晶片间均匀性要求较高的工况，且一次可按要求装载定量晶片，适用于大批量自动化生产工况。如图1所示，在现有技术中，适用于多站流动式取放片模式的半导体加工设备中，机械手102控制手指103将片盒101内的晶片105传递至反应腔104中，反应腔104内设有加热器108、传片机构和多个喷淋头106，传片机构通过控制叉指107升降，将手指103上的晶片105传递至加热器108上，并通过控制叉指107旋转，使晶片105在加热器上的多个工位移动，分步沉积，多站流动式取放片模式具体流程为：叉指107将晶片105从手指103上传递至多个喷淋头106中对应传片位置的喷淋头106的工艺位置，进行第一次工艺，在第一次工艺结束后，叉指107携带晶片105上升，并旋转至下一个喷淋头106的工艺位置，进行第二次工艺，在第一次工艺结束后至第二次工艺开始之前，通过手指103和叉指107将另一个晶片105传递至位于对应传片位置的喷淋头106的工艺位置，进行第一次工艺，重复上述步骤，当一个晶片105经过所有喷淋头106后，通过叉指107和手指103将该晶片105传回片盒101，从而完成对一个晶片105的加工。但是，在现有技术中，由于加热器108边缘处的气流分布与加热器108中心处的气流不均匀，以及边界效应的影响，会使晶片105边缘区域的沉积速率慢于晶片105中间区域的沉积速率，导致晶片105边缘区域的成膜与晶片105中间区域的成膜相比较薄，影响晶片105表面的均匀性。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种承载装置和工艺腔室，其能够降低晶片整体沉积速率的差异，降低晶片整体成膜厚度的差异，提高晶片表面的均匀性。为实现本专利技术的目的而提供一种承载装置，包括：可旋转的承载盘和旋转升降机构，所述旋转升降机构包括多个旋转轴、升降驱动装置和旋转驱动装置，其中，在所述承载盘上设置有沿所述承载盘的周向均匀分布的多个用于承载晶片的第一工位；且各个所述第一工位的中心设置有沿所述承载盘的厚度贯通的第一通孔；所述旋转轴的数量与所述第一通孔的数量相同且一一对应地设置，所述旋转轴能够穿过与其对应的所述第一通孔，且所述旋转轴的顶端具有用于承载所述晶片的承载面；所述升降驱动装置用于驱动所有的所述旋转轴同步上升或下降，以使所述旋转轴的顶端高于或低于所述第一工位所在平面；所述旋转驱动装置用于驱动所有的所述旋转轴同步自转第一预设角度。优选的，所述升降驱动装置包括升降架和升降驱动源，其中，所述升降驱动源与所述升降架连接，用于驱动所述升降架作升降运动；各个所述旋转轴可绕自身轴线旋转地设置在所述升降架上，且所述旋转轴在其轴向上与所述升降架相对固定。优选的，所述升降架为环体，在所述环体中设置有沿其周向均匀分布的多个第二通孔，所述第二通孔的数量与所述旋转轴的数量相同，且一一对应地设置；所述旋转轴可绕自身轴线旋转地设置在与其对应的所述第二通孔中。优选的，所述旋转驱动装置包括第一旋转驱动源和传动组件，所述传动组件分别连接所述第一旋转驱动源和各个所述旋转轴，所述第一旋转驱动源用于通过所述传动组件驱动各个所述旋转轴同步自转所述第一预设角度。优选的，所述传动组件包括主动轮、多个从动轮和传动带，其中，所述从动轮的数量与所述旋转轴的数量相同，且各个所述从动轮一一对应地套设在各个所述旋转轴上；所述传动带分别与所述从动轮和所述主动轮的表面相接触；所述第一旋转驱动源用于驱动所述主动轮自转，以使所述主动轮在摩擦力的作用下通过所述传动带带动各个所述从动轮及所述旋转轴同步自转所述第一预设角度。优选的，在所述承载盘上，且位于各个所述第一工位处设置有安放槽，所述第一通孔设置于所述安放槽的中心。优选的，所述承载装置还包括加热盘，所述加热盘设置在所述承载盘的下方，且所述加热盘与所述承载盘相互分离，所述承载盘的下表面与所述加热盘的上表面之间具有竖直间隙。优选的，在所述加热盘上设置有沿所述加热盘的周向均匀分布，并沿所述加热盘的厚度贯通的多个第三通孔，所述第三通孔的数量与所述第一通孔的数量相同且一一对应地设置，以供所述旋转轴能够依次穿过与其对应的所述第三通孔和所述第一通孔。优选的，在所述加热盘的中心设置有沿所述加热盘的厚度贯通的第四通孔；所述承载装置还包括第二旋转驱动源和传动轴，其中，所述传动轴与所述第二旋转驱动源连接，并穿过所述第四通孔与所述承载盘连接，所述第二旋转驱动源用于通过所述传动轴驱动所述承载盘自转第二预设角度。本专利技术还提供一种工艺腔室，所述工艺腔室包括本专利技术提供的承载装置。本专利技术具有以下有益效果：本专利技术提供的承载装置借助旋转升降机构中的升降驱动装置驱动所有的旋转轴同步上升或下降，使旋转轴的顶端高于或低于第一工位所在平面，以使旋转轴能够将机械手上的晶片托起，并能够将晶片放置在承载盘的第一工位上，并借助旋转升降机构中的旋转驱动装置驱动所有的旋转轴同步自转第一预设角度，以在旋转轴托起晶片时，通过旋转轴使晶片自转第一预设角度，从而使晶片在随承载盘旋转进行多次工艺的过程中，晶片中靠近承载盘边缘的部分发生改变，与现有技术相比，不会出现晶片中靠近承载盘边缘的部分始终不变的情况，进而降低晶片整体沉积速率的差异，降低晶片整体成膜厚度的差异，提高晶片表面的均匀性。本专利技术提供的工艺腔室，借助本专利技术提供的承载装置，能够降低晶片整体沉积速率的差异，降低晶片整体成膜厚度的差异，提高晶片表面的均匀性。附图说明图1为现有技术中适用于多站流动式取放片模式的半导体加工设备的结构示意图；图2为本专利技术提供的承载装置的结构示意图；图3为本专利技术提供的承载装置的结构示意图；图4为本专利技术提供的承载装置的结构示意图；图5为本专利技术提供的承载装置的结构示意图；图6为本专利技术提供的晶片传输方法的放片过程的流程图；图7为本专利技术提供的晶片传输方法的取片过程的流程图；附图标记说明：101-片盒；102-机械手；103-手指；104-反应腔；105-晶片；106-喷淋头；107-叉指；108-加热器；201-工艺腔室；211-承载盘；212-第一工位；213-第一通孔；214-加热盘；215-传动轴；216-第二旋转驱动源；221-旋转轴；231-升降架；232-升降驱动源；233-第二通孔；241-第一旋转驱动源；242-主动轮；243-从动轮；244-传动带；251-晶片。具体实施方式为使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种承载装置，其特征在于，包括：可旋转的承载盘和旋转升降机构，所述旋转升降机构包括多个旋转轴、升降驱动装置和旋转驱动装置，其中，在所述承载盘上设置有沿所述承载盘的周向均匀分布的多个用于承载晶片的第一工位；且各个所述第一工位的中心设置有沿所述承载盘的厚度贯通的第一通孔；/n所述旋转轴的数量与所述第一通孔的数量相同且一一对应地设置，所述旋转轴能够穿过与其对应的所述第一通孔，且所述旋转轴的顶端具有用于承载所述晶片的承载面；/n所述升降驱动装置用于驱动所有的所述旋转轴同步上升或下降，以使所述旋转轴的顶端高于或低于所述第一工位所在平面；/n所述旋转驱动装置用于驱动所有的所述旋转轴同步自转第一预设角度。/n

【技术特征摘要】
1.一种承载装置，其特征在于，包括：可旋转的承载盘和旋转升降机构，所述旋转升降机构包括多个旋转轴、升降驱动装置和旋转驱动装置，其中，在所述承载盘上设置有沿所述承载盘的周向均匀分布的多个用于承载晶片的第一工位；且各个所述第一工位的中心设置有沿所述承载盘的厚度贯通的第一通孔；
所述旋转轴的数量与所述第一通孔的数量相同且一一对应地设置，所述旋转轴能够穿过与其对应的所述第一通孔，且所述旋转轴的顶端具有用于承载所述晶片的承载面；
所述升降驱动装置用于驱动所有的所述旋转轴同步上升或下降，以使所述旋转轴的顶端高于或低于所述第一工位所在平面；
所述旋转驱动装置用于驱动所有的所述旋转轴同步自转第一预设角度。


2.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述升降驱动装置包括升降架和升降驱动源，其中，所述升降驱动源与所述升降架连接，用于驱动所述升降架作升降运动；
各个所述旋转轴可绕自身轴线旋转地设置在所述升降架上，且所述旋转轴在其轴向上与所述升降架相对固定。


3.根据权利要求2所述的承载装置，其特征在于，所述升降架为环体，在所述环体中设置有沿其周向均匀分布的多个第二通孔，所述第二通孔的数量与所述旋转轴的数量相同，且一一对应地设置；所述旋转轴可绕自身轴线旋转地设置在与其对应的所述第二通孔中。


4.根据权利要求2或3所述的承载装置，其特征在于，所述旋转驱动装置包括第一旋转驱动源和传动组件，所述传动组件分别连接所述第一旋转驱动源和各个所述旋转轴，所述第一旋转驱动源用于通过所述传动组件驱动各个所述旋转轴同步自转所述第一预设角度。


5.根据权利要求4所述的承载装...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾立松，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11