一种微波等离子体设备用的基片台及设备制造技术

本发明专利技术提供一种微波等离子体设备中的基片台，用于承载薄片，所述基片台分上下两部分，基片台上半部分为一整体金属，其上表面为一圆环，中央中轴线处为一圆台，圆环与圆台之间有凹槽，圆台用来承载薄片，圆环高度高于圆台高度。基片台下半部为金属圆筒，里面埋有水冷凝管，有低熔点导热金属合金填充水冷凝管与金属圆筒之间，基片台上下半部分之间有一圆盘状高导热材料，该材料被下半部金属圆筒内低熔点导热金属固定在金属圆筒的上表面。由于微波激发的等离子体球是一个能量密度不均匀的球形体，导致对基片台上工件的热辐射量也是分布不均匀的，本基片台能改善微波等离子体的均匀分布性，同时减小基片台的热形变，使得所承载薄片的表面温度有良好的一致性。

【技术实现步骤摘要】
一种微波等离子体设备用的基片台及设备
本专利技术属于真空微电子
，具体涉及一种基片台。
技术介绍
等离子体是继固态，液态，气态之后的作为物质的第四态，在很多领域有着广泛的应用。而要使物质处于等离子体状态，就需要提供一定的能量。微波作为一种电磁波，比较容易的将气体激发成等离子体状态，因此微波等离子体技术在很多领域得到了广泛的应用。微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)装置一般包括微波系统、真空系统、供气系统和等离子体反应室，等离子体反应室中设有一个自旋转基片台，以制备金刚石膜为例，微波系统产生的微波进入等离子体反应室，在自旋转基片台上方激发供气系统提供的气体产生等离子体球，等离子体球紧贴在成膜衬底材料表面，通过调整不同的反应气体以及调整等离子体的工艺参数，可以在基片台表面沉积金刚石薄膜。由于微波等离子体激发的特性，在基片台上方，靠近基片台中央区域电场强度最大；靠近基片台边缘区域电场强度较弱；因此用微波激发等离子体往往呈现球形或者椭球形。传统的基片台材料由于要接触到等离子体，往往由能耐高温的材料组成，通常为不锈钢，或者是耐高温本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微波等离子体设备用的基片台，用于承载圆片或者方形薄片，其特征在于，所述基片台分成上下两个部分：上半部由单一金属材料或者相同合金材料加工而成，下半部为带水冷却的复合材料组成。/n

【技术特征摘要】
1.一种微波等离子体设备用的基片台，用于承载圆片或者方形薄片，其特征在于，所述基片台分成上下两个部分：上半部由单一金属材料或者相同合金材料加工而成，下半部为带水冷却的复合材料组成。


2.根据权利要求1所述的基片台，其特征在于：所述上半部的上表面成圆形，由围绕圆周的金属圆环和中心部位的金属圆台组成，圆环与圆台之间有一个凹槽，凹槽的宽度在1.0-5.0毫米之间。


3.根据权利要求2所述的基片台，其特征在于：所述上半部的圆环的高度比圆台的高度高，圆环高度比圆台高度高2.0-4.0毫米之间。


4.根据权利要求2所述的基片台，其特征在于：所述上半部的下端面有一个圆形凹槽，用于与所述基片台的下半部接合。


5.根据权利要求1所述的基片台，其特征在于：所述下半部的整体呈圆柱形，主体由金属制成。


6.根据权利要求5所述的基片台，其特征在于：所述下半部从上往下依次有一个圆盘状导热材料，盘式冷却...

【专利技术属性】
技术研发人员：满卫东，龚闯，朱长征，吴剑波，
申请(专利权)人：上海征世科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31