一种镁基或铝基滤波器腔体镀层及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种镁基或铝基滤波器腔体镀层及其制备方法，属于磁控溅射镀膜领域。本发明专利技术的制备方法，采用磁控溅射来镀层，首先镀200～300nm的Cr层作为打底层，代替采用传统电镀或化学镀的200～700nm的Ni打底层；之后溅射Cu层，Cu层沉积完成后，采用磁控共溅射技术沉积1‑2μm的Cr‑Al‑Ag共溅射层，在保证电学性能的同时，进一步减少了Ag的使用量，降低成本；共溅射层中Cr的加入提升了膜层间的结合力，Cr和Al均可提高镀层的抗氧化变色能力。本发明专利技术的制备方法，提高了镀层的致密性，减少了薄膜内部缺陷，因此降低了表面接触电阻，有利于滤波器的整机性能的提升。

【技术实现步骤摘要】
一种镁基或铝基滤波器腔体镀层及其制备方法
本专利技术属于磁控溅射领域，尤其是一种镁基或铝基滤波器腔体镀层及其制备方法。
技术介绍
腔体滤波器是一种重要的电子器件，在雷达、微波、通讯等领域有着广泛的应用。目前工业用腔体滤波器的腔体普遍为镁基体或铝基体，因其对腔体导电性、耐磨和耐腐蚀性能的特殊要求，多采用电镀方法对腔体进行表面处理，US-4278957、和EP-A-1544938-A中给出了腔体滤波器壳体的实例。电镀工艺会带来贵金属材料消耗和环境污染。随着通讯设备高效、环保、小型化的发展趋势，人们开始采用不同的表面处理方法替代电镀。中国专利技术专利CN-201510856216给出了一种用化学镀进行表面处理的方法，通过使用铜盐络合物溶液来沉积铜(Cu)层，随后采用化学镀沉积银(Ag)层。中国专利技术专利CN-200910147649采用真空镀的方法，依次在腔体表面沉积镍(Ni)、铜(Cu)或银(Ag)，从而代替电镀。以上表面处理方法存在镀层均匀性差、薄膜致密度低、内部缺陷过多以及高温下易变色等问题。另一方面，无论电镀还是替代工艺，普遍通过增本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种镁基或铝基滤波器腔体镀层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n1)采用非平衡磁控溅射系统，以镁基体或铝基体滤波器腔体为基底，在基底上溅射Cr，直至Cr层厚度为200-300nm；/n2)之后在Cr层上溅射Cu，直至Cu层厚度为7-9μm；/n3)之后在Cu层上进行Cr、Al、Ag共溅射，直至共溅射层Cr-Al-Ag的厚度为1-2μm。/n

【技术特征摘要】
1.一种镁基或铝基滤波器腔体镀层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)采用非平衡磁控溅射系统，以镁基体或铝基体滤波器腔体为基底，在基底上溅射Cr，直至Cr层厚度为200-300nm；
2)之后在Cr层上溅射Cu，直至Cu层厚度为7-9μm；
3)之后在Cu层上进行Cr、Al、Ag共溅射，直至共溅射层Cr-Al-Ag的厚度为1-2μm。


2.根据权利要求1所述的镁基或铝基滤波器腔体镀层的制备方法，其特征在于，步骤3)的共溅射层中Cr、Al、Ag的摩尔比为1:1:(2-25)。


3.根据权利要求1所述的镁基或铝基滤波器腔体镀层的制备方法，其特征在于，步骤1)中磁控溅射的工艺参数为：
本底真空度在4×10-3Pa以下，溅射电流为3-6A，溅射时间为10-15min，偏压为60V，溅射气体为Ar，Ar流量为25sccm，溅射气压为0.3×10-1Pa。


4.根据权利要求1所述的镁基或铝基滤波器腔体镀层的制备方法，其特征在于，步骤2)中磁控溅射的工艺参数为：
本底真空度在4×10-3Pa以下，溅射气压为0.3×10-1Pa，溅射电流为3-5A，溅射时间...

【专利技术属性】
技术研发人员：马洋，刘建利，
申请(专利权)人：西安匠心云涂科技有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61