【技术实现步骤摘要】
一种覆铜板及其高速真空制备方法
本专利技术涉及柔性覆铜板生产
，尤其涉及一种覆铜板及其高速真空制备方法。
技术介绍
随着3C产品朝着轻、薄、短、小的需求方向发展，挠性覆铜板(FCCL)迅速从军用品转到了民用，随即转向了消费类电子产品。近年来，涌现出来的几乎所有高科技电子产品都大量采用了挠性电路板，以实现其高集成化的发展趋势。随着绿色化印制电路板及其基材制造技术的进步与发展，各国环保政策对电子材料尤其是铅焊料与重金属离子进行了严格限制，FCCL的焊接温度也被提高到250℃以上，意味着对3层FCCL粘结剂提出了更高的要求。结合电子设备高频化的必然发展趋势，及在5G基站与微波通信领域的快速发展并得以普及的趋势下，新一代的FCCL将由传统多层结构转向聚酰亚胺(PI)基材/铜箔的2层结构，FCCL的去粘结层化与减薄化已成为大势所趋。目前高端覆铜板生产技术路线主要有两种，其一美国杜邦公司为代表，采用直接在压延铜箔表面聚合PI材料而得；其二以日本东丽公司为代表，采用镀膜技术在PI基材上制备铜膜，由于Cu膜与PI结合强度和Cu...
【技术保护点】
1.一种覆铜板的高速真空制备方法，其特征在于，采用持续高功率磁控溅射技术在基底上制备铜膜；其中，所述持续高功率磁控溅射技术的靶面功率密度>80W/cm
【技术特征摘要】
1.一种覆铜板的高速真空制备方法，其特征在于，采用持续高功率磁控溅射技术在基底上制备铜膜；其中，所述持续高功率磁控溅射技术的靶面功率密度>80W/cm2。
2.根据权利要求1所述的覆铜板的高速真空制备方法，其特征在于，所述的制备方法在真空镀膜系统中完成，具体包括：
步骤A、采用气体离子源对基底进行表面活化处理；
步骤B、采用高功率脉冲磁控溅射技术，并在第二加速偏压下在所述基底上沉积金属注入层；
步骤C、采用持续高功率磁控溅射技术，并在第三加速偏压下在所述金属注入层上沉积铜膜。
3.根据权利要求2所述的覆铜板的高速真空制备方法，其特征在于，所述步骤A包括：
将气体置于真空腔室内，将所述真空腔室抽至3×10-3Pa以下的压力，然后通入惰性气体，使腔室获得0.2-5Pa的工作压力，开启气体离子源，并在第一加速偏压下对基底进行表面活化2-60min；其中，所述第一加速偏压为0.1-2kV。
4.根据权利要求2所述的覆铜板的高速真空制备方法，其特征在于，所述步骤B包括：
采用高功率脉冲磁控溅射技术溅射金属靶材，产生金属离子，并通过第二加速偏压对所述金属离子进行加速后注入到基底上，在所述基底上得到金属注入层；其中，所述第二加速偏压为0.5-...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴忠振，
申请(专利权)人：深圳后浪电子信息材料有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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