【技术实现步骤摘要】
氮化铝掺氮化钪镀膜材料
本专利技术涉及材料领域,尤其涉及一种氮化铝掺氮化钪镀膜材料,包括氮化铝掺氮化钪靶材和氮化铝掺氮化钪蒸发镀膜材料。
技术介绍
氮化铝是一种良好的压电薄膜材料,具有高声波波速、高热导率、低介质损耗、优异的温度稳定性、可与CMOS工艺兼容等优点,是制备高频、高功率及高集成化声表面波(SurfaceAcousticWave,SAW)器件的理想材料。在AlN中掺入ScN制备的氮化铝掺氮化钪(ScN)x(AlN)1-x功能薄膜相比于单一的氮化铝(AlN)功能薄膜,压电系数和机电耦合系数得到有效的提升,可改善AlN作为压电薄膜材料的性能,从而制备出性能更优秀的SAW器件。目前,氮化铝掺氮化钪(ScN)x(AlN)1-x功能薄膜及其制备方法是国内外争相研究的热点,很多研究机构通过研究取得了有益的成果,归结起来,氮化铝掺氮化钪(ScN)x(AlN)1-x功能薄膜的制备基本都是采用反应溅射的方式,具体地说就是,以铝钪金属靶材或铝金属靶材与钪金属靶材为溅射镀膜原料,将铝钪金属靶材或铝金属靶材与钪金属靶材装入反应溅射设备,抽 ...
【技术保护点】
1.一种氮化铝掺氮化钪镀膜材料,其特征在于:包括氮化铝掺氮化钪靶材和氮化铝掺氮化钪蒸发镀膜材料,其化学表达式为:(ScN)
【技术特征摘要】
1.一种氮化铝掺氮化钪镀膜材料,其特征在于:包括氮化铝掺氮化钪靶材和氮化铝掺氮化钪蒸发镀膜材料,其化学表达式为:(ScN)x(AlN)1-x,其中0.02≤x≤0.8,其纯度大于等于98%且小于99.99%,该材料用于制备氮化铝掺氮化钪薄膜及相关器件。
2.根据权利要求1所述的氮化铝掺氮化钪镀膜材料,其特征在于:氮化铝掺氮化钪镀膜材料的化学表达式为:(ScN)x(AlN)1-x,其中0.02≤x≤0.8,氮化铝掺氮化钪镀...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴文斌,舒小敏,
申请(专利权)人:江西科泰新材料有限公司,
类型:发明
国别省市:江西;36
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