【技术实现步骤摘要】
一种二硫化硅的双温区气固合成工艺
[0001]本申请涉及化工原料合成的
，更具体地说，它涉及一种二硫化硅的双温区气固合成工艺。
技术介绍
[0002]二硫化硅是一种无机化合物，其化学式为SiS2，属于斜方或正方晶体，常温常压下稳定，遇湿则分解成SiO2和H2S。二硫化硅可以用来制取芯片用的高纯硅，大幅简化硅的提纯问题，且由于二硫化硅是一种呈纤维状的聚合物，在新能源电池上也有着广泛的应用。
[0003]二硫化硅在工业上主要有两种合成路线，一种是先将铝粉与硫磺高温下反应，制得硫化铝，然后将硫化铝与过量的硅砂高温反应，制得二硫化硅和氧化铝，然而这一种合成路线较为繁琐，成本较高；另一种是采用硫化氢气体和硅单质在1800℃左右进行反应，制得二硫化硅，然而硫化氢气体有剧毒且易燃，安全问题较为严重。
技术实现思路
[0004]为了得到一种安全、高效且环保的二硫化硅合成工艺，本申请提供一种二硫化硅的双温区气固合成工艺。
[0005]本申请提供的一种二硫化硅的双温区气固合成工艺，采用如下的技术方案：
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种二硫化硅的双温区气固合成工艺，其特征在于，所述工艺包括以下步骤：S1、将硫块与硅粉混合后置于合成管中，将合成管中抽至真空度为1
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100mTorr后密封；所述硫块中硫单质含量≧99.999％；所述硅粉中硅单质含量≧99.9％；S2、合成管分为高温区和低温区，S1中混合后的硫块和硅粉位于高温区；合成管高温区依次在600
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800℃保温1
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3h，800
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900℃保温1
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2h，900
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1000℃保温1
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3h，1000
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1100℃保温1
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3h和1100
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1200℃保温1
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3h；合成管低温区在20...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴文斌，舒小敏，
申请(专利权)人：江西科泰新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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