【技术实现步骤摘要】
一种新型数控双频射频开关
本技术属于射频
,涉及一种新型数控双频射频开关。
技术介绍
现有的无线通信存在着非常多的频段,提供现有生活日益丰富的无线应用,也为射频前端技术提出了非常大的设计挑战,用尽量少的收发通道实现对多频段的支持是现实需要。以WiFi为例,存在2.4GHz的传统频段,和5GHz的高频频段,这两个频段不需要同时工作,则需要在频段之间进行切换。针对这种需要双频工作的场景,需要射频开关执行频段切换操作。现有的射频开关主要是采用SOI工艺实现,电路图如图1所示,这在sub-6G中较为常见,采用MOS管串并联实现。其最大的问题在于频率升高之后,MOS管的差损随之增大,变得不再实用。而且其为保证线性度,通常需要采用负压产生电路,需要额外的振荡器电路和电平转换电路,一般引入低频杂散和消耗额外的功耗;现有技术中还有采用λ/4的传输线作为阻抗变换器实现开关特性,如图2所示,这种开关的特性适用于高频,普遍在毫米波使用,此时传输线的占用的面积相对于射频频率大大减少,但即使是这样,传输线的使用仍然使这种开关非常占面积, ...
【技术保护点】
1.一种新型数控双频射频开关,其特征在于,包括高频段通路和低频段通路;/n所述高频段通路包括连接在第一信号端口和第三信号端口之间的并联电路一,所述并联电路一为电容C2和电感L2的并联电路;/n所述低频段通路包括连接在第二信号端口和第三信号端口之间的并联电路二,所述并联电路二包括电容C11、电容C12、电感L1和开关S1,所述电容C11与开关S1构成串联支路,所述电容C12、电感L1和所述串联支路并联;/n所述电感L1和所述电感L2相互耦合。/n
【技术特征摘要】
1.一种新型数控双频射频开关,其特征在于,包括高频段通路和低频段通路;
所述高频段通路包括连接在第一信号端口和第三信号端口之间的并联电路一,所述并联电路一为电容C2和电感L2的并联电路;
所述低频段通路包括连接在第二信号端口和第三信号端口之间的并联电路二,所述并联电路二包括电容C11、电容C12、电感L1和开关S1,所述电容C11与开关S1构成串联支路,所述电容C12、电感L1和所述串联支路并联;
所述电感L1和所述电感L2相互耦合。
2.根据权利要求1所述的一种新型数控双频射频开关,其特征在于,所述低频段通路工作频率为低频f1,所述高频段通路工作频率为高频f2,f2>f1;当开关S1闭合,电容C11、电容C12与电感L1...
【专利技术属性】
技术研发人员:邹亮,张小东,汤昊林,
申请(专利权)人:珠海复旦创新研究院,
类型:新型
国别省市:广东;44
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