【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】CMOS上的PMUT的单片集成器件
本技术涉及一种单片集成器件。更进一步的说，这种器件是一种压电式微机械超声换能器PMUT与互补金属氧化物半导体CMOS的单片集成器件。
技术介绍
微机械超声换能器是一种电子设备，其包括能够利用施加的AC电压信号产生高压波的振动膜。当波与物体相遇时，产生的波穿过介质并反射回换能器。传输和返回的波被电子处理以检测关于物体的信息，包括其距离，形状和其他物理特性。通过电容或压电转换实现膜的振动。电容微机械超声换能器被称为CMUT，而压电式微机械超声换能器被称为PMUT。晶片键合是将微机械超声换能器与互补金属氧化物半导体CMOS基板集成的传统方法。US20160009544A1公开了一种将微机械超声换能器与互补金属氧化物半导体CMOS基板集成的方法。微机械超声换能器可以是CMUT或PMUT。该方法涉及晶片键合技术以将PMUT结合到基板，以及将一个基板连接到另一个基板。WO2016040333描述了一种微机电系统，具有PMUT的MEMS器件，PMUT由超声换能器，MUT结构和压电体形成。第一金属...
【技术保护点】
1.一种单片集成器件，其特征在于，所述单片集成器件包括：/n一基板层(101)，作为该器件的基底；/n一介电隔层(102)，配置于该基板层(101)的顶部并位于一保护层(103)的下方；/n一电子线路，形成于该介电隔层(102)之内，并为该基板层(101)所支撑，该电子电路包括由一个或多个间隔的金属(204)构成的多个金属层；以及/n至少一微机械超声波换能器，每个该微机械超声波换能器包含：/n一底部电极(301)，配置于该保护层(103)的顶部且连接至该电子线路；/n一压电体(302)，配置于该底部电极(301)的顶部；以及/n一弹性层(304)，位于该压电体(302)的顶...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170929 MY PI20177036951.一种单片集成器件，其特征在于，所述单片集成器件包括：
一基板层(101)，作为该器件的基底；
一介电隔层(102)，配置于该基板层(101)的顶部并位于一保护层(103)的下方；
一电子线路，形成于该介电隔层(102)之内，并为该基板层(101)所支撑，该电子电路包括由一个或多个间隔的金属(204)构成的多个金属层；以及
至少一微机械超声波换能器，每个该微机械超声波换能器包含：
一底部电极(301)，配置于该保护层(103)的顶部且连接至该电子线路；
一压电体(302)，配置于该底部电极(301)的顶部；以及
一弹性层(304)，位于该压电体(302)的顶部；
其中该单片集成器件在每个微机械超声波换能器下方形成有空腔(306)，该空腔(306)从保护层(103)延伸到介电隔层(102)的一部分。
2.一种如权利要求1所述的单片集成器件，其中底部电极被分成两半。
3.一种如权利要求1所述的单片集成器件，其特征在于，所述单片集成器件还包括一顶部电极(303)，其位于弹性层(304)与压电体(302)之间。
4.一种如权利要求1所述的单片集成器件，其特征在于，所述单片集成器件还包括一电连接结构(305)，其配置于弹性层(304)的一端或两端的下面并连接至所述电子线路。
5.一种如权利要求4所述的单片集成器件，其中该电连接结构(305)具有一基底部，用来连接至一邻接微机械超声波换能器的底部电极(301)。
6.一种如权利要求1所述的单片集成器件，其中该电子线路包括位于该基板层(101)中的至少一源极与漏极元件(201)。
7.一种如权利要求6所述的单片集成器件，其中该电子线路包括位于该介电隔层(102)中的至少一栅极(202)，每个栅极连接至所述源极与漏极元件(201)。
8.一种如权利要求6所述的单片集成器件，其中该电子线路包括至少一接触元件(203)，用以将所述源极与漏...
【专利技术属性】
技术研发人员：绍达拉潘迪安·莫罕拉吉，坎帝马翰帝·阿君库马尔，
申请(专利权)人：矽特拉马来西亚有限公司，
类型：新型
国别省市：马来西亚;MY
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