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本实用新型公开了一种CMOS上的PMUT的单片集成器件，其包括作为该器件的基部的基板层(101)；介电隔层(102)，设置于基板层(101)的顶部，并位于保护层(103)的下方；电子线路，形成在介质电隔层(102)内，并由基板层(101)支...
该专利属于矽特拉马来西亚有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过矽特拉马来西亚有限公司授权不得商用。

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