电子装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的电子装置的制造方法至少具备下述工序：工序(1)，准备结构体(100)，所述结构体(100)具备粘着性膜(50)、电子部件(70)以及支撑基板(80)，所述粘着性膜(50)具备：基材层(10)，设置于基材层(10)的第1面(10A)侧且用于临时固定电子部件(70)的粘着性树脂层(A)，以及设置于基材层(10)的第2面(10B)侧且粘着力因外部刺激而降低的粘着性树脂层(B)，所述电子部件(70)粘贴于粘着性膜(50)的粘着性树脂层(A)，所述支撑基板(80)粘贴于粘着性膜(50)的粘着性树脂层(B)；工序(2)，选自使粘着性膜(50)中的水分量降低的工序(2‑1)和使结构体(100)中的水分量降低的工序(2‑2)中的至少一种，以及工序(3)，通过密封材(60)将电子部件(70)进行密封。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电子装置的制造方法
本专利技术涉及电子装置的制造方法。
技术介绍
作为能够谋求电子装置(例如，半导体装置)的小型化、轻量化的技术，在开发扇出型WLP(晶片级封装)。在作为扇出型WLP的制作方法之一的eWLB(嵌入式晶片级球栅阵列封装(EmbeddedWaferLevelBallGridArray))中，采取了以下方法：将半导体芯片等多个电子部件以分隔开的状态临时固定在粘贴于支撑基板的粘着性膜上，通过密封材将多个电子部件一并密封。这里，对于粘着性膜，在密封工序等中需要使其粘附于电子部件和支撑基板，密封后需要将其与支撑基板一起从被密封的电子部件除去。作为这样的扇出型WLP的制造方法的相关技术，可举出例如，专利文献1(日本特开2011-134811号)所记载的技术。专利文献1中记载了一种半导体装置制造用耐热性粘着片，其特征在于，是在将无基板半导体芯片进行树脂密封时进行贴附来使用的半导体装置制造用耐热性粘着片，上述耐热性粘着片具有基材层和粘着剂层，该粘着剂层是贴合后的对于SUS304的粘着力为0.5N/20mm以上，因直至树脂密本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子装置的制造方法，其至少具备下述工序：/n工序(1)，准备结构体，所述结构体具备粘着性膜、电子部件和支撑基板，/n所述粘着性膜具备：基材层，设置于所述基材层的第1面侧且用于临时固定电子部件的粘着性树脂层A，以及设置于所述基材层的第2面侧且粘着力因外部刺激而降低的粘着性树脂层B，/n所述电子部件粘贴于所述粘着性膜的所述粘着性树脂层A，/n所述支撑基板粘贴于所述粘着性膜的所述粘着性树脂层B；/n工序(2)，选自使所述粘着性膜中的水分量降低的工序(2-1)和使所述结构体中的水分量降低的工序(2-2)中的至少一种；以及/n工序(3)，通过密封材将所述电子部件密封。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180330 JP 2018-0669001.一种电子装置的制造方法，其至少具备下述工序：
工序(1)，准备结构体，所述结构体具备粘着性膜、电子部件和支撑基板，
所述粘着性膜具备：基材层，设置于所述基材层的第1面侧且用于临时固定电子部件的粘着性树脂层A，以及设置于所述基材层的第2面侧且粘着力因外部刺激而降低的粘着性树脂层B，
所述电子部件粘贴于所述粘着性膜的所述粘着性树脂层A，
所述支撑基板粘贴于所述粘着性膜的所述粘着性树脂层B；
工序(2)，选自使所述粘着性膜中的水分量降低的工序(2-1)和使所述结构体中的水分量降低的工序(2-2)中的至少一种；以及
工序(3)，通过密封材将所述电子部件密封。


2.根据权利要求1所述的电子装置的制造方法，
所述工序(2)包括使所述粘着性膜中的水分量降低的工序(2-1)，
所述工序(2-1)在所述工序(1)之前进行。


3.根据权利要求2所述的电子装置的制造方法，
在所述工序(2-1)中，通过对所述粘着性膜进行加热和/或对所述粘着性膜进行减压，从而使所述粘着性膜中的水分量降低。


4.根据权利要求1所述的电子装置的制造方法，
所述工序(2)包括使所述结构体中...

【专利技术属性】
技术研发人员：五十岚康二，木下仁，栗原宏嘉，三浦彻，
申请(专利权)人：三井化学东赛璐株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP