【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件的检测，特别涉及此类器件的加速老化的检测。以前曾有各咱方法用于预测或检测半导体器件的性能失效的性能。此类器件制造采用多种方法，防止不耐用的器件在顾客使用时失效。这些制造者希望器件具有良好的性能，以便建立器件的可靠性，避免退货，减少制造者的保修呼叫，并避免用户的不满。一种众所周知的与半导体器件寿命特别相关的现象通称为“初期失效率”。该术语用来描述在新元件中观测到的较高失效率。一般，元件在短期工作后，从原始的高失效率下降到一个低值，并在较长的时期继续保持低值。为了避免半导体器件的“初期失效率的效应，一般使此类元件“预烧”，直至初期失效率周期过去。这种“预烧”一般包含交替地给器件通以大的正向电流和施加几乎等于标称峰值的反偏压，或变化器件的温度。“预烧”系统和方法的一些实例可参见美国专利U.S-5，047，711(Smith等人，题目《Wafer-LevelBurn-inTestingofIntegratedCircuits》)，US-5，030，905(Figal，题目《BleowaMinuteBurn-in》)，以及US-4，215，30...
【技术保护点】
一种检测半导体器件的方法，包括下列步骤： 在一定时间内给半导体器件通以预定电流电平脉冲，以使不合格部分老化，使合适部分稳定；以及 在通电流脉冲后，测量半导体器件的电学和光学工作特性。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：约翰A爱德蒙，道格拉斯A阿司布利，卡温H卡特，道格拉斯G华尔兹，
申请(专利权)人：克里公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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