基于Au@SiO制造技术

本发明专利技术涉及一种基于Au@SiO

【技术实现步骤摘要】
基于Au@SiO2等离子激元增强量子点发光二极管的制备方法
本专利技术属于光电材料与器件领域，具体涉及一种基于Au@SiO2等离子激元增强的量子点发光二极管的制备方法。
技术介绍
随着科技的发展和社会的进步，信息交流与传递成为了日常生活中必不可少的一部分。显示器件的发展是信息交流与传递的基础，因而它成为了许多光电领域科学家们重点关注的方向。量子点发光二极管器件，因为其优异的电致发光性能、广色域等优点，成为了显示器件里备受瞩目的新星，作为一种最有可能实现实用化的显示器件，成为了众多科学家们研究的对象，在信息交流和传递等领域起着至关重要的作用。随着人们对于图像质量和画质要求的提高，对量子点发光二极管提出了更高的要求。而目前为止，人们主要是提升量子点发光二极管的亮度、外量子效率以及解决其寿命问题。为此人们做了大量的研究和实验，主要是从几个方面入手，一个是通过对量子点表面配体进行改进，从而提升其电流密度，一个是提升空穴传输层迁移率或使得能级更加匹配，从而提升空穴电流注入，另一个是减小电子传输层电流密度使得电子和空穴注入更加平衡。r>近年来，为了进一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于Au@SiO

【技术特征摘要】
1.一种基于Au@SiO2等离子激元增强的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1:选取ITO玻璃作为发光二极管的衬底，所述ITO玻璃包括玻璃衬底以及所述玻璃衬底表面覆盖的ITO薄膜；
步骤S2:制备量子点溶液;
步骤S3:制备Au@SiO2壳核结构纳米颗粒，并将Au@SiO2壳核结构纳米颗粒掺杂空穴传输层材料TFB氯苯溶液，得到TFB/Au纳米颗粒溶液；
步骤S4:在ITO导电玻璃上旋涂PEDOT：PSS溶液，并通过退火干燥形成薄膜；
步骤S5:将TFB/Au纳米颗粒溶液旋涂于PEDOT：PSS薄膜上，并通过退火干燥形成空穴传输层；
步骤S6:在空穴传输层上量子点溶液，形成量子点发光中心层；
步骤S7:配置ZnO溶液，在量子点膜层之上旋涂该溶液，形成氧化锌的电子传输层；
步骤S8:利用真空镀膜机，将铝蒸镀在步骤S7所制备的样片上，形成铝电极；
步骤S9:在步骤S8的基础上，再依次蒸镀HATCN和MoO3；
步骤S10:重复步骤S4-S8，依次形成PEDOT：PSS薄膜、空穴传输层、量子点发光中心层、电子传输层和铝电极，得到基于Au@SiO2等离子激元增强的叠层结构量子点发光二极管。


2.根据权利要求1所述的基于Au@SiO2等离子激元增强的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述量子点溶液为CdSe量子点溶液。


3.根据权利要求2所述的基于Au@SiO2等离子激元增强的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤S2具体为：
步骤S21:将氧化镉粉末、1-十四基磷酸以及三正丁基氧化膦在排空加热条件下混合后制备成镉前驱体溶液；
步骤S22:在惰性气体保护下将硒粉末溶于三丁基膦中，制备得到硒前驱体溶液；
步骤S23:将硒前驱体溶液注入至镉前驱体溶液中生成混合溶液
步骤S24:将所得混合溶液降温至第一温度后保温一定时间，移除热源后再将混合溶液冷却降温至第二温度，得到所述CdSe量子点溶液。


4.根据权利要求3所述的基于Au@SiO2等离子激元增强的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述CdSe量子点溶液的制备过程中，镉前驱体溶液的制备温度为240℃-360℃；硒前驱体溶液的制备温度为100-220℃；混合溶液的生成温度为250℃-330℃，混合溶液的保温时间为1min-20min，第一温度为220℃-270℃，第二温度为80℃-140℃；所得CdSe量子点前驱体溶液中Se和Cd的摩尔比为1:4。


5.根据权利要求1所述的基于Au@SiO2等离子激元增强的量子点发光二...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨尊先，郭太良，刘佳慧，徐雷，林诗敏，陈恩果，周雄图，陈耿旭，吴朝兴，王嘉祥，
申请(专利权)人：福州大学，
类型：发明
国别省市：福建;35