掺杂了二氧化硅的CdSe量子点及发光二极管器件的制作方法技术

本发明专利技术涉及一种掺杂了二氧化硅的CdSe量子点及发光二极管器件的制作方法，首先在ITO玻璃上，在经过对ITO导电玻璃的清洁和臭氧处理之后，利用旋涂工艺在ITO薄膜之上制备PEDOT：PSS层，而后在依次旋涂得到TFB层、CdSe量子点发光层、ZnO电子传输层以及二氧化硅电极，其中的量子点层中特别使用了经过硅烷偶联剂KH550和十八酸改性后的二氧化硅纳米颗粒进行掺杂，最终形成一种掺杂了二氧化硅的CdSe量子点及发光二极管器件。本发明专利技术薄膜通过二氧化硅纳米颗粒对CdSe掺杂，保证了在量子点的间隙之间被填充，减少了电子空穴通过该间隙进行复合的可能，在保证载流子浓度的情况下，提高了器件的性能。

【技术实现步骤摘要】
掺杂了二氧化硅的CdSe量子点及发光二极管器件的制作方法
本专利技术属于光电材料与器件领域，具体涉及一种掺杂了二氧化硅的CdSe量子点及发光二极管器件的制作方法。
技术介绍
随着科技的发展和社会的进步，信息交流与传递成为了日常生活中必不可少的一部分。量子点光致发光光学薄膜器件，作为一种最有可能实现实用化的显示器件，在信息交流和传递等领域起着至关重要的作用。而量子点发光光学薄膜器件作为一种最有可能实现实用化的显示器件，因为其优异的光致发光，广色域以及光色可调等优点，已经成为了目前最为热门的研究对象。就目前而言，量子点发光二极管大多选择先制备量子点前驱体溶液，溶液随后通过旋涂制成器件得方法。为了提高器件的发光性能以及提高发光稳定性及寿命，我们就需要通过控制量子点材料粒径或者量子点器件各个功能层的改进，以提高器件的性能等。通过大量的实验，人们利用在量子点发光二极管器件的不同功能层中，通过使用一些物质进行掺杂或者修饰，从而得到发光性能更好的器件。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种掺杂了二氧化硅的CdSe量子点及发本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种掺杂了二氧化硅的CdSe量子点及发光二极管器件的制作方法,其特征在于，包括以下步骤：/n步骤S1：选取ITO导电玻璃作为发光二极管的衬底；/n步骤S2：在ITO导电玻璃上旋涂PEDOT：PSS溶液，并通过退火干燥形成薄膜；/n步骤S3：配置空穴传输层溶液，并旋涂于PEDOT：PSS的膜层之上，退火干燥形成空穴传输层；/n步骤S4：将二氧化硅纳米颗粒使用硅烷偶联剂KH550和十八酸进行改性，并使用正己烷溶解纳米颗粒，制备成二氧化硅纳米颗粒的正己烷溶液；/n步骤S5：配置CdSe量子点，制备CdSe量子点与二氧化硅纳米颗粒的混合溶液，并在空穴传输层上旋涂混合溶液，形成CdSe量子点发光中心...

【技术特征摘要】
1.一种掺杂了二氧化硅的CdSe量子点及发光二极管器件的制作方法,其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1：选取ITO导电玻璃作为发光二极管的衬底；
步骤S2：在ITO导电玻璃上旋涂PEDOT：PSS溶液，并通过退火干燥形成薄膜；
步骤S3：配置空穴传输层溶液，并旋涂于PEDOT：PSS的膜层之上，退火干燥形成空穴传输层；
步骤S4：将二氧化硅纳米颗粒使用硅烷偶联剂KH550和十八酸进行改性，并使用正己烷溶解纳米颗粒，制备成二氧化硅纳米颗粒的正己烷溶液；
步骤S5：配置CdSe量子点，制备CdSe量子点与二氧化硅纳米颗粒的混合溶液，并在空穴传输层上旋涂混合溶液，形成CdSe量子点发光中心层；
步骤S6：配置ZnO溶液，在量子点膜层之上旋涂该溶液，形成氧化锌的电子传输层；
步骤S7：利用蒸镀技术，将银蒸镀在步骤S6所制备的样片上，形成银电极，制备得出掺杂了二氧化硅的CdSe量子点发光二极管。


2.根据权利要求1所述的掺杂了二氧化硅的CdSe量子点及发光二极管器件的制作方法,其特征在于，所述步骤S3具体为：
步骤S31:将TFB溶于氯苯中配置成空穴传输层溶液;
步骤S32:将溶液旋涂到已经旋涂有PEDOT：PSS薄膜的ITO导电玻璃基板上，并退火干燥形成空穴传输层。


3.根据权利要求1所述的掺杂了二氧化硅的CdSe量子点及发光二极管器件的制作方法,其特征在于，所述步骤S4的具体为：
步骤S41：称取一定量的二氧化硅纳米颗粒，添加到搅拌水解后的含有硅烷偶联剂KH550的无水乙醇/水混合溶液中，剧烈搅拌使二氧化硅分散均匀，随后于油浴条件下搅拌一段时间，离心后使用乙醇洗涤数次，干燥得到经过硅烷偶联剂改性的二氧化硅颗粒；
步骤S42：称取一定量十八酸溶解于二甲苯中，将经过硅烷偶联剂改性的二氧化硅颗粒在搅拌条件下均匀分散，并恒温反应一段时间，离心洗涤并干燥后，使用适量正己烷进行溶解，制备成改性后的二氧化硅纳米颗粒的正己烷溶液。


4.根据权利要求1所述的掺杂了二氧化硅的CdSe量子点及发光二极管器件的制作方法,其特征在于，所述步骤S5具体为：
步骤S51:将硒粉、硫粉和TOP溶液在预设温度下搅拌溶解，制备出硒的前驱体溶液；
步骤S52:将氧化镉、乙酸锌和油酸搅拌预设时间，而后注入少量ODE溶液，并上升溶液温度；
步骤S53:取硒的前驱体溶液，在溶液温度达到预设值时快速注入到该溶液并保持一段时间，同时使用紫外灯进行激发；最后通过水浴的方式快速冷却量子点溶液，用正己烷稀释，得到量子点溶液；
步骤S54：取出部分静置后的量子点溶液的上清液，并使用适量甲醇溶解油酸，而后加入适量正己烷溶液溶并取出上层溶液，加入适量无水乙醇进行离心，最后用二氧化硅纳米颗粒的正己烷溶液溶解沉淀物，得到提纯的量子点溶液；
步骤S55:取出提纯的量子点溶液，通过旋涂的方式，在已制备有空穴传输层的ITO玻璃基片上制备出CdSe量子点薄膜。


5.根据权利要求1所述的掺杂了二氧化硅的CdSe量子点及发光二极管器件的制作方法,其特征在于，所述步骤S6具体为：
步骤S...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨尊先，郭太良，叶雨亮，杨保用，邱荧琳，郑康，陈恩果，周雄图，李福山，余路成，
申请(专利权)人：福州大学，
类型：发明
国别省市：福建;35