基于量子点反溶剂去除发光层中有机物量子点发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术提出一种基于量子点反溶剂去除发光层中有机物量子点发光二极管及其制备方法，包括：衬底以及设置在所述衬底上的：空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极；所述量子点发光层通过量子点与有机物混合旋涂制备。本发明专利技术制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，其通过在量子点层上旋涂量子点反溶剂去除部分有机物，使得量子点与功能层接触良好的同时有效阻挡了电子传输层和空穴传输层的直接接触，减小了漏电流，使得电子和空穴在量子点层实现了有效的复合，抑制了俄歇复合的发生。可使量子点发光二极管的寿命以及性能大大提高。

【技术实现步骤摘要】
基于量子点反溶剂去除发光层中有机物量子点发光二极管及其制备方法
本专利技术属于光电材料与器件领域，尤其涉及一种基于量子点反溶剂去除发光层中有机物量子点发光二极管及其制备方法。
技术介绍
随着科技的发展和社会的进步，信息交流与传递成为了日常生活中必不可少的一部分。显示器件的发展是信息交流与传递的基础，因而它成为了许多光电领域科学家们重点关注的方向。量子点发光二极管器件，因为其优异的电致发光性能、广色域等优点，成为了显示器件里备受瞩目的新星，作为一种最有可能实现实用化的显示器件，成为了众多科学家们研究的对象，在信息交流和传递等领域起着至关重要的作用。随着人们对于图像质量和画质要求的提高，对量子点发光二极管提出了更高的要求。而目前为止，人们主要是提升量子点发光二极管的亮度、外量子效率以及解决其寿命问题。为此人们做了大量的研究和实验，主要是从几个方面入手，一个是通过对量子点表面配体进行改进，从而提升其电流密度，一个是提升空穴传输层迁移率或使得能级更加匹配，从而提升空穴电流注入，另一个是减小电子传输层电流密度使得电子和空穴注入更加平衡。近本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于量子点反溶剂去除发光层中有机物量子点发光二极管，其特征在于，包括：衬底以及设置在所述衬底上的：空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极；所述量子点发光层通过量子点与有机物混合旋涂制备。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于量子点反溶剂去除发光层中有机物量子点发光二极管，其特征在于，包括：衬底以及设置在所述衬底上的：空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极；所述量子点发光层通过量子点与有机物混合旋涂制备。


2.根据权利要求1所述的基于量子点反溶剂去除发光层中有机物量子点发光二极管，其特征在于：所述衬底为图案化的ITO玻璃衬底。


3.根据权利要求1所述的基于量子点反溶剂去除发光层中有机物量子点发光二极管，其特征在于：所述量子点发光层通过量子点与有机物混合旋涂制备后再采用量子点反溶剂旋涂处理。


4.根据权利要求1所述的基于量子点反溶剂去除发光层中有机物量子点发光二极管，其特征在于：所述量子点溶液浓度为10-20mg/ml，有机物掺杂浓度为0.1-5mg/ml。


5.根据权利要求3所述的基于量子点反溶剂去除发光层中有机物量子点发光二极管，其特征在于：旋涂滴加的所述量子点反溶剂的量为10-50μl。


6.根据权利要求1-5其中任一所述的基于量子点反溶剂去除发光层中有机物量子点发光二极管，其特征在于：所述量子点发光层厚度为30-100nm；空穴注入层厚度为10-20nm；空穴传输层厚...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨尊先，郭太良，叶雨亮，徐雷，张玉飞，周雄图，陈耿旭，陈恩果，余路成，
申请(专利权)人：福州大学，
类型：发明
国别省市：福建;35