CMOS图像传感器的制作方法技术

本发明专利技术提供了一种CMOS图像传感器的制作方法。所述制作方法包括提供覆盖有垫氧化层的半导体基底，半导体基底中设置有隔离区以及由所述隔离区限定出的光电二极管形成区，首先在半导体基底上形成硬掩膜层，再在硬掩膜层上形成图形化的光阻层，光阻层露出部分位于隔离区上的硬掩膜层，然后刻蚀硬掩膜层以露出垫氧化层的上表面，接着执行离子注入，在隔离区上形成离子注入区。由于在执行离子注入工艺时，采用硬掩膜层来保护非离子注入区的半导体基底，从而光阻层的厚度可以设置得较薄以制作出较小的开窗，以控制相邻两个光电二极管之间的隔离区的尺寸，提高CMOS图像传感器的性能。

【技术实现步骤摘要】
CMOS图像传感器的制作方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种CMOS图像传感器的制作方法。
技术介绍
图像传感器是一种用于将聚焦在图像传感器上的光学图像转换成电信号的电子设备。图像传感器可以用于诸如数码相机、摄影机、手机等成像设备，使得成像设备能够根据接收到的光转换得到数字图像。其中，CMOS图像传感器(CMOSImageSensor，CIS)因其具有更低的功耗、更低的成本、更高的集成度以及可以在像素级别与CMOS模拟及数字电路更好的集成，因而得到了迅猛发展。像素满阱容量(FullWellCapacity，FWC)是衡量CIS性能的重要指标，像素满阱容量过低会缩小像素的动态范围并降低信噪比以及灵敏度，从而严重降低CIS的成像质量，因此，提升像素满阱容量一直是提升CIS类产品性能的最主要项目之一。CMOS图像传感器的像素区一般包括多个光电二极管(PhotoDiode，PD)和相邻光电二极管之间的隔离区，光电二极管用于吸收入射光并把光信号转换成电信号。在CIS制作过程中，常需要对隔离区的半导体基底进行离子注入，以获得像素本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，包括：/n提供半导体基底，所述半导体基底中设置有隔离区以及由所述隔离区限定出的光电二极管形成区，所述半导体基底表面覆盖有垫氧化层；/n在所述半导体基底上形成硬掩膜层，所述硬掩膜层覆盖所述垫氧化层表面；/n在所述硬掩膜层上形成图形化的光阻层，所述光阻层露出部分位于所述隔离区上的硬掩膜层；/n利用所述光阻层作为掩膜，刻蚀所述硬掩膜层，直至露出所述垫氧化层的上表面；以及/n以所述硬掩膜层为掩膜，执行离子注入工艺，在所述隔离区形成离子注入区。/n

【技术特征摘要】
1.一种CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体基底，所述半导体基底中设置有隔离区以及由所述隔离区限定出的光电二极管形成区，所述半导体基底表面覆盖有垫氧化层；
在所述半导体基底上形成硬掩膜层，所述硬掩膜层覆盖所述垫氧化层表面；
在所述硬掩膜层上形成图形化的光阻层，所述光阻层露出部分位于所述隔离区上的硬掩膜层；
利用所述光阻层作为掩膜，刻蚀所述硬掩膜层，直至露出所述垫氧化层的上表面；以及
以所述硬掩膜层为掩膜，执行离子注入工艺，在所述隔离区形成离子注入区。


2.如权利要求1所述的CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，所述硬掩膜层为氮化硅层。


3.如权利要求1所述的CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，所述硬掩膜层包括在所述半导体基底表面由下至上依次叠加的氮化硅层和氧化硅层。


4.如权利要求3所述的CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，利用所述光阻层作为掩膜，刻蚀所述硬掩膜层的步骤包括：
执行高深宽比刻蚀工艺，形成贯穿所述氧化硅层的开口，所述开口内保留一定厚度的所述氮化硅层；以及
执行湿法刻蚀工艺，去除所述开口内剩余的所述氮化硅层。

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【专利技术属性】
技术研发人员：梅翠玉，王明，徐炯，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31