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本发明提供了一种CMOS图像传感器的制作方法。所述制作方法包括提供覆盖有垫氧化层的半导体基底，半导体基底中设置有隔离区以及由所述隔离区限定出的光电二极管形成区，首先在半导体基底上形成硬掩膜层，再在硬掩膜层上形成图形化的光阻层，光阻层露出部分...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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