【技术实现步骤摘要】
高光谱图像传感器的单片集成方法、高光谱图像传感器及成像设备
本专利技术涉及高光谱成像
，具体涉及一种高光谱图像传感器的单片集成方法、高光谱图像传感器及成像设备。
技术介绍
高光谱成像技术广泛应用在遥感检测、食品安全监控、生物医学
目前，用于制备高光谱图像传感器的一种制备方法是将CMOS图像传感器的感光区域和多波段滤波器单片集成在一起，该制备方法制成的高光谱图像传感器具有体积小、分析速度快和成本低等特点。其中，位于CMOS图像传感器顶部的滤波器通常为法布里-珀罗干涉仪(Fabry-Pérotinterometers)，其包括两个相对的具有高反射率的反射层：底反射层和顶反射层，在两反射层之间设置有一个透明空腔层(TransparentCavityLayer)，该透明空腔层由多个台阶结构组成，一个台阶结构对应一个光谱带。透明空腔层的作用是光能够在两高反射率反射层之间实现分谱段反射的空间。现有技术中，用于制备具有台阶结构的透明空腔层的方法是采用光刻-刻蚀工艺实现。由于空腔层的台阶高度决定了其对应滤波器的中心光谱...
【技术保护点】
1.一种高光谱图像传感器的单片集成方法，其特征在于，包括以下步骤：/n形成底反射层，使得所述底反射层位于CMOS图像传感器晶圆的感光区域表面上；/n形成透明空腔层，通过反复采用沉积、光刻以及选择性刻蚀工艺在所述底反射层上形成透明空腔层，所述透明空腔层包括2
【技术特征摘要】
1.一种高光谱图像传感器的单片集成方法，其特征在于，包括以下步骤：
形成底反射层，使得所述底反射层位于CMOS图像传感器晶圆的感光区域表面上；
形成透明空腔层，通过反复采用沉积、光刻以及选择性刻蚀工艺在所述底反射层上形成透明空腔层，所述透明空腔层包括2n个台阶结构，其中，n为≥1的正整数，每个台阶结构构成一个光谱带；
形成顶反射层，使得所述顶反射层位于所述透明空腔层上。
2.根据权利要求1所述的高光谱图像传感器的单片集成方法，其特征在于，所述反复采用沉积、光刻以及选择性刻蚀工艺具体包括以下步骤：
在底反射层表面执行n次沉积、光刻和选择性刻蚀工艺形成2n-1个台阶结构；
在最后一次选择性刻蚀工艺后暴露的底反射层表面沉积形成第2n个台阶结构。
3.根据权利要求2所述的高光谱图像传感器的单片集成方法，其特征在于，每次所述沉积、光刻和选择性刻蚀工艺包括:刻蚀停止层的沉积、光刻和选择性刻蚀，以及透明空腔层形成材料的沉积、光刻和选择性刻蚀。
4.根据权利要求2所述的高光谱图像传感器的单片集成方法，其特征在于，
在所述底反射层整个表面上沉积形成刻蚀停止层；
对部分所述刻蚀停止层进行光刻和选择性刻蚀，暴露出部分所述底反射层；
沉积透明空腔层形成材料；
对位于所述刻蚀停止层上的透明空腔层形成材料进行光刻和选择...
【专利技术属性】
技术研发人员：高建峰，白国斌，刘卫兵，李俊杰，杨涛，李俊峰，王文武，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11
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